光耦串联

  这是一个光耦器件，型号为 TLP521。原本想使用它控制一个高压信号。不过在数据手册中给出的参数令我失望了。他的负载电压最高只有55V，反向更低，只有6V。说起来也容易理解。负载电压实际上就是三极管的 CE 电压，最高55V。反向这是BE结之间的反向电压。只有6V。这与普通的三极管的耐压特性实际上是相同的。下面对于这个耐压进行实际测量一下。

二、测试结果

  测量光耦耐压的设备是一颗自制的设备。它可以输出高达 10kV的直流电压。通过直流分压获得输出高压的数值。利用一个小型的可调电压来控制输出电压。输出的电压和电流能够直接从前面的 OLED屏幕中读出。

  将待测光耦放置在面包板上，连接高压发生器，调节输出电压，可以看到输出电压稳定在114V左右。这是光耦输出工作电压。比起数据手册中给出的电压大。反过来，使用万用表辅助测量，CE反向击穿电压为 8.84V。重新使用万用表测量正向击穿电压，这个电压为 142V。这说明高压模块上显示的电压在低压下数值不准确。耐压偏低。

  为了提高正向耐压，下面将两个光耦三极管进行串联。这样，击穿电压就变成了 283V。照此下去，如果想进一步提高光耦控制电压的大小，可以将更多的光耦进行串联。测量反向电压，也由原来的8.8V提升到17.8V。

  将四个光耦串联在一起，击穿电压上升到 454V。这个耐压足以使其能够抵抗 220V交流电压的控制。反向击穿电压也上升到 35.5V。由此可以知道，可以将光耦进行串联，进而提高它的工作负载电压。利用这个方案，将来用于可编程双向可控硅的编程控制。

※ 总  结 ※

  本文测试了 TLP521光标输出耐压。单个输出耐压大约为 140V。将四个串联在一起，耐压提高到450V。反向击穿电压，单个三极管为 9V左右。