推出SiC MOSFETKGD及晶圆级动态WLR测试设备,高电流源表首次亮相
产品前瞻
SiC MOSFET晶圆级动态WLR测试系统
■ 应用于 6/8 英寸 SiC MOSFET 晶圆老化测试,温度范围最高 200℃
■ 测试机柜支持6晶圆并行测试,每层测试子单元完成一种测试
■ 保护功能全,任意芯片出现损害不影响其他DUT,互不干扰
■ 测试符合AQG324或JEP195标准
SiC MOSFET裸芯片KGD 测试系统
■ 极速测试体验,测试站可自由拓展搭建
■ 全面覆盖测试种类,可实现高温、大电流、短路测试等
■ 先进的三重保护方案,最大限度保护系统和探针卡
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