5 月 24 日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(下文简称东芝)于 5 月 23 日发布公告,宣布其 300 mm 晶圆功率半导体制造工厂和办公楼竣工。
东芝在新闻稿中表示现阶段正在安装相关设备,争取在 2024 财年下半年开始量产。一旦一期工程全面投产,东芝功率半导体(主要是 MOSFET 和 IGBT)的产能将是 2021 财年制定投资计划时的 2.5 倍,而二期建设和开始运营将根据市场情况再做决定。
新的制造大楼遵循东芝的业务连续性计划(BCP),并将为东芝的业务连续性计划(BCP)做出重大贡献:它具有吸收地震冲击的隔震结构和冗余电源。
东芝表示,新的制造工厂具有吸收地震冲击的隔震结构和电源供应功能,该制造工厂将遵循东芝的业务连续性计划 (BCP),并将为东芝的业务连续性计划做出重大贡献。而在整体工厂投入量产之后,透过可再生能源和建筑物屋顶太阳能电池板的能源,将可以让该设施能够通过可再生能源满足 100% 的电力要求。
中国大陆第三代半导体发展季度报告
第二章:中国大陆 SiC 半导体市场分布与产能分析
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