5 月 24 日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社（下文简称东芝）于 5 月 23 日发布公告，宣布其 300 mm 晶圆功率半导体制造工厂和办公楼竣工。
东芝在新闻稿中表示现阶段正在安装相关设备，争取在 2024 财年下半年开始量产。一旦一期工程全面投产，东芝功率半导体（主要是 MOSFET 和 IGBT）的产能将是 2021 财年制定投资计划时的 2.5 倍，而二期建设和开始运营将根据市场情况再做决定。
新的制造大楼遵循东芝的业务连续性计划（BCP），并将为东芝的业务连续性计划（BCP）做出重大贡献：它具有吸收地震冲击的隔震结构和冗余电源。
东芝表示，新的制造工厂具有吸收地震冲击的隔震结构和电源供应功能，该制造工厂将遵循东芝的业务连续性计划 （BCP），并将为东芝的业务连续性计划做出重大贡献。而在整体工厂投入量产之后，透过可再生能源和建筑物屋顶太阳能电池板的能源，将可以让该设施能够通过可再生能源满足 100% 的电力要求。
中国大陆第三代半导体发展季度报告
第二章：中国大陆 SiC 半导体市场分布与产能分析
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