1. 切割硅片
将圆柱形高纯度硅锭切割成圆盘，制成带有定向凹槽的硅片。
2. 形成氧化膜
将硅片排列好，放入炉内退火，加入氧气和硅气，在硅片表面形成氧化膜。
4. 曝光
半导体光刻系统将硅片与光掩模对准，通过镜头将光掩模上的电子电路图案缩小到原来的四分之一或五分之一，然后将光线投射到电路图案上，将其图案化在硅片上。
曝光是逐个芯片进行的。使用不同的光掩模在硅片上形成各种元件。步骤3至7重复数十次。
5. 显影
在显影过程中，通过将晶圆浸入液体溶剂中，曝光区域的光刻胶被溶解。曝光区域下方的氧化膜显露出来。
6. 蚀刻
去除露出的氧化膜后，再去除剩余的不需要的光刻胶，露出图案。
7. 掺杂
通过在熔炉中向硅片添加硼、磷和砷等化学物质，在硅片上形成晶体管、二极管和其他元件。
8. 布线
为了连接硅片上形成的元件，需要将铝沉积在硅片表面，并去除不需要的区域上的铝。
9. 切割
将硅片上的芯片逐个切下。
10. 粘合/成型
然后通过细金线将芯片和引线框架（用于将芯片连接到端子的框架）连接起来。
芯片被封装在合成树脂或陶瓷封装中，以防止冲击和刮擦。
11. 半导体完成
移除框架部分并塑造引线，以便将半导体安装在电路板上。
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