点击这里👇关注我，记得标星哦～
当台积电于2019年开始在其N7+工艺（用于华为的海思）上使用EUV光刻技术制造芯片时，它拥有全球42%的EUV光刻机安装量，即使ASML在2020年增加了EUV光刻机的出货量，台积电在EUV安装中的份额实际上增加到了50%。展望 2024 年，台积电的 EUV 光刻系统数量比 2019 年增长了 10 倍，尽管三星和英特尔正在增加自己的 EUV 数量，但台积电现在占全球 EUV 安装量的 56%。可以说，台积电很早就决定在EUV上大力发展，因此他们今天仍然拥有EUV光刻机的最大份额。
值得注意的是，台积电的EUV硅片产量增长了更大的倍数;台积电现在生产的EUV晶圆数量是2019年的30倍。与仅增加 10 倍的光刻机相比，台积电的产量增长了 30 倍，这突显了台积电如何能够提高其 EUV 生产率、缩短维修时间和减少整体工具停机时间。显然，这一切都是利用公司内部开发的创新完成的。
台积电表示，自 2019 年以来，其 EUV 系统的晶圆/日产量已成功提高了两倍。为此，该公司优化了EUV曝光剂量及其使用的光刻胶。此外，台积电还大幅改进了EUV光罩的薄片，使EUV光罩的使用寿命延长了4倍（即延长了正常运行时间），使每个薄片的产量提高了4.5倍，缺陷率大幅降低了80倍（即提高了生产率并延长了正常运行时间）。出于显而易见的原因，台积电没有透露它是如何如此显着地改进其薄膜技术的，但也许随着时间的推移，该公司的工程师将与学术界分享这一点。
超紫外光刻系统的耗电量也是出了名的大。因此，除了提高 EUV 工具的生产率外，该公司还通过未公开的 “创新节能技术”，成功地将其 EUV 光刻机的功耗降低了 24%。此外，台积电还计划在 2030 年前将每个 EUV 工具的单位晶圆能效提高 1.5 倍。
考虑到台积电目前通过低数值孔径EUV光刻技术实现的所有改进，台积电对未来能够继续生产尖端芯片充满信心也就不足为奇了。虽然竞争对手英特尔已经全力以赴地为其未来的 sub-18A 节点开发高数值孔径 EUV，但台积电正在寻求利用其高度优化和经过时间考验的低数值孔径 EUV 工具，避免如此快地进行重大技术过渡的潜在陷阱，同时也获得了使用成熟工具的成本效益。
