据韩媒Pulse News报道，SK海力士5月13日宣布，将从2026年开始量产第七代高带宽存储器HBM4E，这比此前的计划提前一年。
SK海力士先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook在近日于首尔举行的IEEE 2024国际存储研讨会上宣布了这一消息。他表示，“虽然HBM一直是每两年推进一次，但从第五代产品HBM3E开始，产品周期已缩短为一年。
业内人士预测，HBM4E堆叠层数将增至16~20层，此前SK海力士已计划在2026年量产16层HBM4产品，该公司还暗示，有可能从HBM4开始采用“混合键合”技术实现更高堆叠层数。
据悉，混合键合技术通过消除芯片之间的凸块来堆叠更多的DRAM，此前SK海力士表示，将应用Advanced MR-MUF（先进大规模回流模制底部填充）技术直至HBM4。
Kim Kwi-wook表示，“对于HBM4，我们正在研究混合键合技术与主要的工艺相结合，但目前为止良率不高。如果用户需要超过20层的产品，由于厚度限制，我们可能需要探索新的工艺。”
行业观察人士预测，SK海力士有望首次将10nm制程的第六代（1c）DRAM应用于HBM4E，这将显著提高存储容量。
作为头部存储芯片制造商，三星和SK海力士预测由于市场对高性能芯片的需求上升，特别是对人工智能（AI）应用至关重要的芯片需求上升，今年DRAM和高带宽存储器（HBM）的价格将保持坚挺。
据韩媒Korea economic daily报道，为了满足需求，三星和SK海力士已经将超过20%的DRAM生产线转换成HBM生产线。
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