所有现代硅功率器件都基于沟槽技术，并已取代了平面技术，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，沟槽设计在性能优势方面与Si功率MOSFET技术的发展有许多相似之处。采用碳化硅沟槽设计还有一个显著优势，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。
安富利合作伙伴英飞凌推出的CoolSiC™ MOSFET G2沟槽技术继承了G1的高可靠性。基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工业级模块的DPM（百万分之一缺陷率）数据显示，SiC的产品失效率甚至低于Si功率开关这一非常成熟的技术。英飞凌还率先开展了应用寿命测试，如今某些测试已被纳入JEDEC标准。CoolSiC™ 沟槽式MOSFET设计推动了现在和未来在能效方面的可持续竞争力。
基于英飞凌CoolSiC™ MOSFET，安富利推出3.3KW碳化硅高功率密度双向PFC电源方案，能够提升能源转换效率，为电力系统的稳定运行提供坚实保障。
此安富利自研方案中，离线式DC/AC设计不仅提高了电能的转换效率，还带来了灵活性和广泛适用性。这套全面系统方案采用英飞凌CoolSiC™碳化硅，结合了高集成度、高功率密度和高效率的优势，能够灵活适应风能和太阳能的不规则供应，适用于电信、服务器SMPS、光伏逆变、储能、工业用电、充电桩等应用。
新型CoolSiC™ MOSFET G2沟槽式MOSFET可以将SiC产品性能提升到一个新高度，同时满足所有常见电源方案的最高质量标准：AC-DC、DC-DC和DC-AC。在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源、电机驱动等众多应用中，SiC MOSFET都能提供比Si MOSFET更高的性能。
CoolSiC™ MOSFET G2产品具有一系列新的鲁棒性，可在长期实际运行中达到最佳性能。
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每处理一瓦特电能的能率
功耗是关键。探索新型CoolSiC™ MOSFET G2沟槽技术如何改善AC-DC、DC-DC、DC-AC等电源方案中常用拓扑结构的功率传输。与上一代产品相比，MOSFET在硬开关和软开关运行时的关键性能指标都提高了20%以上。此外，快速开关能力（即SiC MOSFET的特征）也提高了30%以上。因此，G2系列在光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电、UPS等所有运行模式下的功耗都较低。
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提高特定外形尺寸下的功率标准
集SiC的优点于一身：外形小巧，功耗低。SiC MOSFET的导通电阻越低，传导损耗也就越低，从而提高了能效、功率密度并减少了器件数量。CoolSiC™ G2 MOSFET产品组合降低了SiC MOSFET市场的最低Rdson。采用SMD封装的同类最佳产品，使TO263-7封装的耐压650V和1200V的导通电阻额定值分别达到7 mOhm和8 mOhm。采用.XT改进封装互连，使器件热阻更小，输出功率更大，工作温度更低。SMD封装可提供的功率提高了60%以上，提升了功率转换方案的功率密度标准。
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CoolSiC™ MOSFET G2
CoolSiC™ MOSFET G2功率器件
保证高能效的电源转换解决方案是实现脱碳目标和无限绿色能源的关键。在许多情况下，基于碳化硅的电力电子器件比碳化硅替代品能效更高。为了加快全球清洁能源和能源效率的实施，英飞凌发布了第二代CoolSiC™ MOSFET。
英飞凌CoolSiC™ MOSFET 650V G2介绍
熟悉英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 650V G2第二代产品，了解其主要特性、目标应用和优势，并理解其与其他技术相比的定位。
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