CoolSiC™MOSFETG2，助力下一代高性能电源系统

所有现代硅功率器件都基于沟槽技术，并已取代了平面技术，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，沟槽设计在性能优势方面与Si功率MOSFET技术的发展有许多相似之处。采用碳化硅沟槽设计还有一个显著优势，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。

新型CoolSiC^™ MOSFET G2沟槽式MOSFET可以将SiC产品性能提升到一个新高度，同时满足所有常见电源方案的最高质量标准：AC-DC、DC-DC和DC-AC。在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源、电机驱动等众多应用中，SiC MOSFET都能提供比Si MOSFET更高的性能。

CoolSiC^™ MOSFET G2产品具有一系列新的鲁棒性，可在长期实际运行中达到最佳性能。

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功耗是关键。探索新型CoolSiC^™ MOSFET G2沟槽技术如何改善AC-DC、DC-DC、DC-AC等电源方案中常用拓扑结构的功率传输。与上一代产品相比，MOSFET在硬开关和软开关运行时的关键性能指标都提高了20%以上。此外，快速开关能力（即SiC MOSFET的特征）也提高了30%以上。因此，G2系列在光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电、UPS等所有运行模式下的功耗都较低。

集SiC的优点于一身：外形小巧，功耗低。SiC MOSFET的导通电阻越低，传导损耗也就越低，从而提高了能效、功率密度并减少了器件数量。CoolSiC^™ G2 MOSFET产品组合降低了SiC MOSFET市场的最低Rdson。采用SMD封装的同类最佳产品，使TO263-7封装的耐压650V和1200V的导通电阻额定值分别达到7 mOhm和8 mOhm。采用.XT改进封装互连，使器件热阻更小，输出功率更大，工作温度更低。SMD封装可提供的功率提高了60%以上，提升了功率转换方案的功率密度标准。

为使用碳化硅性能设定新标准

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650V CoolSiC^™ MOSFET 分立器件G2

适用于硬开关和

谐振开关拓扑结构

英飞凌650V CoolSiC^™ MOSFET G2系列可优化大电流和低电容条件下的开关性能，适用于各种工业应用场合，包括服务器、电信设备、电机驱动等。

1200V CoolSiC^™ MOSFET 分立器件G2

在长期实际运行中

达到最佳性能

1200V MOSFET G2系列适用于工业和汽车领域，如车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源（UPS）。以三相电源方案为例，与上一代1200V CoolSiC^™产品相比，根据负载情况，G2系列运行时的功耗降低了5-30%，从而提高了功率传输中的每瓦特电能的利用率。

EICEDRIVER^™ 栅极驱动器IC

适合 CoolSiC^™ MOSFET

的栅极驱动器IC

集成电气隔离功能的栅极驱动器IC是CoolSiC^™ MOSFET等650V和1200V超快速开关功率晶闸管的理想驱动方案。这些栅极驱动器具备驱动碳化硅MOSFET所需的最重要的关键功能和参数，比如传播延迟精准匹配、精确的输入滤波器、宽范围的输出侧电源、负栅极电压能力、有源米勒钳位、扩展的共模瞬态抗扰度（CMTI）能力、退饱和（DESAT）保护以及输入-输出电气隔离。

保证高能效的电源转换解决方案是实现脱碳目标和无限绿色能源的关键。在许多情况下，基于碳化硅的电力电子器件比碳化硅替代品能效更高。为了加快全球清洁能源和能源效率的实施，英飞凌发布了第二代CoolSiC^™ MOSFET。

熟悉英飞凌的CoolSiC^™ MOSFET 650V G2第二代产品，了解其主要特性、目标应用和优势，并理解其与其他技术相比的定位。