华为Pura70手机拆解

ittbank 2024-05-13 17:41 1412浏览 0评论 0点赞

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目前来看，在美国半导体设备管控下，中国制造商将被迫应对旧技术产量较低和成本较高的问题，同时投入研发资金开发自己的EUV和DUV光刻系统。iFixit认为，尽管面临这些挑战，中国预计很快就会从7纳米节点工艺跃升至5纳米，但产量可能仍然较低。与此同时，随着制裁前LPDDR5库存的减少，长鑫存储预计将取代SK海力士。

过去几年里，在美国严厉打压与限制下，华为不断逆势突破，努力提升自身产品的中国本土供应链的占比。继2023年发布搭载7纳米芯片的Mate 60 Pro，华为在今年4月又新推出Pura 70系列，其零部件国产化占比不断提升，据信这一占比已经超过90%。

图源：华为官网

那么，华为麒麟处理器芯片是否有新进步?Pura 70系列是否采用新型号芯片?整体零部件国产占比是否上升?背后的供应商又有哪些?这一系列问题都是业界广泛关注的话题，特别是在7纳米麒麟芯片上。

近日，曾对Mate 60 Pro做过拆解的iFixit联合TechSearch International拆解了Pura 70 Pro，向外界给出了一些答案。

麒麟9010芯片是改进版本

图源：iFixit

毫无疑问，麒麟9010芯片是最受关注的。与许多SoC封装一样，麒麟9010处理器位于DRAM模块下方，即12GB SK Hynix芯片。拆下芯片就可以看到麒麟9010处理器了。

Pura 70 Pro拆解中的麒麟 9010 图源：iFixit

不过，iFixit提到了一个细节：麒麟9010处理器外部标记似乎与在中芯国际7nm节点上生产的旧版麒麟9000S相匹配。

图源：iFixit

iFixit的行业专家对此进行了测试，指出芯片标识符尤其不寻常，因为新芯片通常有自己的型号。但麒麟9000S(型号HI36A0修订版GFCV120)和麒麟9010(型号HI36A0修订版GFCV121)共享相同的型号。

这说明麒麟9010仍然采用了中芯国际的7纳米工艺节点。不过，TechInsights表示，麒麟9010的核心是9000S，其设计经过修改，旨在提高芯片的产量，“不过，这些改进可能不仅限于生产——早期的基准测试表明麒麟9010的性能也比9000S好一些。”

毫无疑问，在没有先进的ASML EUV(极紫外)光刻机的支持，中国先进芯片工艺节点进步已经放缓，与台积电、三星等出现了数年的代差。

麒麟9000S (ALN-AL00)和麒麟9010 (HBN-AL00) 图片来源：Geekbench

“麒麟9000S和麒麟9010之间的性能提升仍然只有个位数。这款新的SoC稍好一些，但没有达到预期的巨大飞跃。”iFixit表示，为了实现这些个位数的性能提升，麒麟9010的12核SoC使用六个运行频率为1550 MHz的ARM Cortex A510效率核心，搭配四个运行频率为2180 MHz的Taishan v121核心和两个运行频率为2300 MHz的Taishan v121核心。

而麒麟9000S采用8核SoC，其中包含四个运行频率为1530 MHz的ARM Cortex A510以及三个Taishan核心运行频率为2150 MHz，1个Taishan v120内核运行频率为2620 MHz。

尽管没有实现工艺节点的迭代，但iFixit特别提醒不要小看华为。iFixit指出，中芯国际预计将在今年底前(甚至是不久后)跃升至5纳米等效节点，“他们已经拥有技术和专业知识，仅需实现商业量产可行性的问题。”

华为Pura 70系列国产化占比超过90%

最近几年，尽管受到美国严厉打压与限制，但华为在不断实现芯片技术突破的同时，还通过对中国本土供应链企业的订单扶持、资金扶持和技术扶持，提升产品本土化占比。这一结果已经在2023年发布的华为Mate 60 Pro上得到体现，而华为Pura 70系列占比似乎更胜一筹。

iFixit表示，华为Pura 70堪称中国自给自足的典范。根据拆解结果，华为Pura 70系列在大多数机型中确实采用了更多的国内供应零部件，尤其是在非顶配机型中。但是，由于缺乏具体的详细数据比较(如各个零部件的国产化比例)，无法准确判断“比Mate 60多”的具体数值或百分比。

不过，需要指出的是，尽管华为Pura 70国产化率很高，但在某些高端领域，比如处理器和摄像头的核心技术，仍然需要依赖国际合作和进口。比如，华为Pura70 Ultra主相机采用索尼零组件。

而iFixit在拆解过程中发现，华为Pura 70采用了SK海力士12 GB LPDDR5 SDRAM内存和Bosch Sensortec BMI270加速度计和陀螺仪。

SK海力士12 GB LPDDR5 SDRAM内存图源：iFixit

Bosch Sensortec BMI270加速度计和陀螺仪图源：iFixit

由于自2020年制裁开始以来，SK海力士就没有向华为出售过任何产品，iFixit预测这些芯片“很可能是SK海力士IC库存不断减少的最后一批”。

而对于博世的存在，iFixit表示，“如果不是中国制造商可能有能力在本地生产这些传感器，作为MEMS传感器供应和设计的全球领导者，博世的出现不会引起任何人的注意。”

长鑫存储LPDDR5预计将取代SK海力士

在存储芯片上，需特别提一下海思的1TB NAND闪存。值得注意的是，欧洲市场只能获得256GB和512GB NAND模块。

1TB NAND 封装中的内存控制器图源：TechSearch

通过X射线照片，TechSearch指出，倒装芯片连接的内存控制器芯片顶部有八个NAND芯片。TechSearch分析认为，海思可能生产了内存控制器并进行了NAND芯片的测试和封装，但内存控制器本身缺乏标记使其无法确定。

不过，海思不太可能自行生产NAN 芯片，而是很可能是由另一家中国制造商在当地设计和制造，但无法在模具上找到任何标记来明确识别制造商。

而对于“几近枯竭”的LPDDR5芯片，iFixit也作了相关的预测。由于美国的制裁，目前华为已经无法从国际市场上的常规供应商手里采购LPDDR5芯片，这加剧了LPDDR5芯片这一短缺瓶颈。

iFixit认为，到目前为止，华为似乎已经能够依靠在2020年制裁生效之前购买的芯片库存来解决这个问题，但这些库存肯定会快速减少。

2023年11月，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。其中，12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。而LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品。

iFixit预测，长鑫存储的LPDDR5芯片将有用武之地，不过DRAM还是严重依赖最新的节点工艺来提高性能和能效。因此，当长鑫存储尝试在7nm和5nm节点上生产时，长鑫存储将不得不解决量产应用的问题。

目前来看，在美国半导体设备管控下，中国制造商将被迫应对旧技术产量较低和成本较高的问题，同时投入研发资金开发自己的EUV和DUV光刻系统。

iFixit认为，尽管面临这些挑战，中国预计很快就会从7纳米节点工艺跃升至5纳米，但产量可能仍然较低。与此同时，随着制裁前LPDDR5库存的减少，长鑫存储预计将取代SK海力士。