新思科技面向台积公司先进工艺加速下一代芯片创新

新思科技（Synopsys）近日宣布，携手台积公司在先进工艺节点设计开展广泛的EDA和IP合作，这些合作成果已应用于一系列人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和移动设计中。其中双方的最新合作是共同优化的光子集成电路（PIC）流程，使硅光子技术应用赋能更高功率、性能和晶体管密度的需求。值得一提的是，业界高度认可新思科技的数字和模拟设计流程，这些流程可用于台积公司N3/N3P和N2工艺技术的生产。目前，两家公司正在共同开发包括新思科技DSO.ai™在内的下一代AI驱动型芯片设计流程，以优化设计并提高芯片设计生产力。新思科技还针对台积公司N2/N2P工艺开发了广泛的基础和接口IP产品组合。此外，新思科技、是德科技（Keysight）与Ansys共同推出了全新的集成射频（RF）设计迁移流程，以实现从台积公司N16工艺节点至N6RF+工艺节点的迁移。

针对先进工艺节点的经认证数字和模拟设计流程

新思科技针对台积公司N3P和N2工艺的可投产数字和模拟设计流程，已被应用于一系列AI、HPC和移动设计领域。该AI驱动的模拟设计迁移流程可实现工艺节点间的快速迁移，在新思科技已有的针对台积公司N4P至N3E和N3E至N2工艺节点迁移的设计流程基础上，新增了用于从台积公司N5至N3E工艺节点的迁移流程。

此外，可互操作工艺设计套件（iPDK）和新思科技IC Validator™物理验证运行集已可供开发者使用，帮助芯片开发团队高效地将设计迁移至台积公司的先进工艺技术。新思科技IC Validator支持全芯片物理签核，以应对日益复杂的物理验证规则。新思科技IC Validator现已通过台积公司N2和N3P工艺技术认证。

借助光子集成电路加速多裸晶设计的数据传输

AI训练所需的海量数据处理要求低时延、高能效和高带宽的互连，这也推动了采用硅光子技术的光学收发器和近/共封装光学器件的应用。新思科技和台积公司正在面向台积公司的紧凑型通用光子引擎（COUPE）技术开发端到端多裸晶电子和光子流程解决方案，以提升系统性能和功能。该流程包括利用新思科技OptoCompiler™进行光子集成电路设计，以及利用新思科技3DIC Compiler和Ansys多物理场分析技术进行电子集成电路（EIC）的集成。

利用针对N2和N2P工艺的广泛IP组合加快产品上市速度

目前，新思科技正在针对台积公司的N2和N2P工艺技术开发广泛的基础和接口IP组合，以助力复杂的AI、HPC和移动SoC应用加速实现流片成功。基于N2和N2P工艺节点的高质量PHY IP，包括UCIe、HBM4/3e、3DIO、PCIe 7.x/6.x、MIPI C/D-PHY和M-PHY、USB、DDR5 MR-DIMM和LPDDR6/5x，开发者能够受益于台积公司先进工艺节点上的PPA改进。此外，新思科技还针对台积公司N3P工艺技术提供经过硅验证的基础和接口IP组合，包括224G以太网、UCIe、MIPI C/D-PHY和M-PHY、USB/DisplayPort和eUSB2、LPDDR5x、DDR5和PCIe 6.x，以及正在开发中的DDR5 MR-DIMM。新思科技针对台积公司先进工艺节点的IP已被数十家业内领先公司采用，以加快其开发进度。