英飞凌于今年推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC™ MOSFET分立器件,其开关损耗低,采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。适用于1500VDC的光伏组串逆变器、储能系统和电动汽车充电等应用。
英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”去年一经上线,备受好评!
5月14日14:00,
今年的碳化硅季正式回归,
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直播间不定时有惊喜礼品掉落!
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当然,碳化硅直播季首期可不止分立器件哟!将为您完整呈现:
增强型M1H CoolSiC™ MOSFET技术带来哪些产品优势?
2000V CoolSiC™碳化硅分立器件和模块产品各有什么特点?
如何应对2000V CoolSiC™ MOSFET的驱动挑战?
2000V CoolSiC™ MOSFET在应用设计时需要关注哪些设计难点?
锁定碳化硅季未来几期,更多福利/惊喜将在直播间呈现:
CoolSiC™ MOSFET 2000V产品评估板首次公开发布售卖,栅极驱动器重点知识讲解,储能方面的应用……
应用工程师
具有丰富的逆变器设计系统经验和功率器件应用知识
应用工程师
长期负责功率半导体产品在新能源等应用技术支持
更多英飞凌2000V单管器件信息,将在这个会议上与大家交流👇
IPF 2024 第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会暨化合物半导体产业高峰论坛
主办单位:InSemi Research、锡山经济技术开发区战略合作:晶能微、赛晶亚太半导体科技、阿基米德半导体特邀赞助:合盛新材料、芯三代、泰克科技、诚联恺达、华科智源、开悦半导体、忱芯半导体赞助单位:泓浒半导体、华太电子、三海电子、成川科技、愿力创、卓尔半导体、东方中科、高坤电子媒体合作:碳化硅芯观察 材料部件装备芯观察 半导体行业观察
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