国内最大碳化硅器件基地首栋建筑提前封顶！

据报道，长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼日前提前封顶，这标志着该项目进入投产倒计时，预计于今年6月全面封顶，明年7月投产。

source：中国光谷

长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设，总投资预计超过200亿元。

该项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域，致力于打造全智能化、世界一流的SiC器件制造标杆工厂。项目建成后，将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地。

项目由中建一局承建，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等，建设周期为578日历天。

项目达产后，预计可年产36万片6英寸SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块，产能位居全国前列，将促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作，助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。

公开资料显示，长飞先进专注于SiC功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。、

source：长飞先进

从产能端来看，长飞先进目前可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管。

从产品端来看，长飞先进可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。公司拥有完全自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台，15mΩ产品比导通电阻（Ron，sp）已达3.4mΩ·cm2，跻身国际先进水平。此外，长飞先进基于该平台的主驱SiC MOSFET晶圆产品良率达80%。

从合作端来看，去年10月，长飞先进与奇瑞汽车携手成立汽车芯片联合实验室。未来，双方将充分发挥各自领域的技术和资源优势，在车规级芯片及其汽车应用技术、市场开发等领域展开广泛合作。此外，据透露，长飞先进正在筹建SiC功率器件应用实验室，计划与安徽省内新能源产业深化合作，协同发展，合力打造SiC产业生态圈。

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