英飞凌于今年推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC™ MOSFET分立器件,其开关损耗低,采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。适用于1500VDC的光伏组串逆变器、储能系统和电动汽车充电等应用。
英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”去年一经上线,备受好评!
5月14日14:00,
今年的碳化硅季正式回归,
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直播间不定时有惊喜礼品掉落!
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当然,碳化硅直播季首期可不止分立器件哟!将为您完整呈现:
增强型M1H CoolSiC™ MOSFET技术带来哪些产品优势?
2000V CoolSiC™碳化硅分立器件和模块产品各有什么特点?
如何应对2000V CoolSiC™ MOSFET的驱动挑战?
2000V CoolSiC™ MOSFET在应用设计时需要关注哪些设计难点?
锁定碳化硅季未来几期,更多福利/惊喜将在直播间呈现:
CoolSiC™ MOSFET 2000V产品评估板首次公开发布售卖,栅极驱动器重点知识讲解,储能方面的应用……
嘉宾介绍
波老师
IPAC 常驻主持
沈嵩
应用工程师
具有丰富的逆变器设计系统经验和功率器件应用知识
赵佳
长期负责功率半导体产品在新能源等应用技术支持