U7116同步整流芯片极简的外围和贴片封装特别适合高功率密度应用，如手机快速充电器，适配器，小体积电源等，是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。
U7116同步整流芯片内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。U7116的快速关断功能可以帮助功率器件获得较低的电压应力，可支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式(CCM)。其内部集成有智能的开通检测功能，可以有效防止反激电路中寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通。
PCB设计对同步整流的性能会产生显著影响，设计同步整流电路时建议参考详细规格书的布局设计，包含U7116同步整流芯片、变压器副边引脚和输出滤波电容等。
1. 副边主功率回路Loop1的面积尽可能小。
2. VDD电容推荐使用1μF的贴片陶瓷电容，尽量紧靠IC，Loop2的面积尽可能小。
3. HV到Drain建议串联30~200Ω的电阻，推荐典型值100Ω。HV检测点位置对CCM应力有影响，HV检测点离Drain引脚越远，CCM应力越小。High Side 配置中，建议HV通过R2电阻连接到输出电容的正端。
4. R1和C1构成同步整流开关的RC吸收电路，RC吸收回路Loop3的面积可能小。
5. Drain 引脚的PCB散热面积尽可能大。
6. SOP-8的封装框架与Drain引脚电位相同，芯片切筋后，框架金属有少量暴露，考虑到绝缘要求，外围元器件应与IC本体保持0.2mm以上的绝缘距离。
U7116同步整流芯片采用SOP-8封装。在输出电压3~21V时，推荐输出电流≤3A，具体脚位如下：
1 HV I 漏极检测引脚。HV到Drain建议串联30~200Ω的电阻，推荐典型值100Ω。
2 VDD P IC 供电引脚，VDD到GND建议放置一个1μF的贴片陶瓷电容。
3, 4 GND G IC 参考地。
5,6,7,8 Drain P 内置功率MOSFET漏极。
由于不同的应用场景和设备对功率级别和性能特征有着不同的要求，深圳银联宝科技研发了多款同步整流芯片及主控芯片，多样性能够充分满足各种应用需求。保障客户在项目一开始就能选择适合的芯片，而无需从头开始设计和开发不同的整流电路，从而降低了设计时间和开发成本！
