就在当前成熟制程有产能过剩疑虑，使得各家以成熟制程为主的晶圆代工厂，开始发展利基型产品，以突围出自己的一片天空之际，晶圆代工大厂联电宣布，推出业界首项RFSOI制程技术的3D IC解决方案，此55纳米 RFSOI 制程平台上所使用的硅堆叠技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小45% 以上，使客户能够有效率地集成更多射带组件，以满足5G更大的带宽需求。
联电指出，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断成长，联电的 RFSOI 3D IC 解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆叠时常见的射频干扰问题，将装置中传输和接收数据的关键组件，通过垂直堆栈芯片来减少面积，以解决在设备中为整合更多射频前端模块带来的挑战。该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。
联电技术开发处执行处长马瑞吉（Raj Verma）表示，联电领先业界以创新射频前端模组的3D IC技术，为客户打造最先进的解决方案。这项突破性技术不仅解决了 5G/6G 智能手机频段需求增加所带来的挑战，更有助于在移动、物联网和虚拟现实的设备中，通过同时容纳更多频段来实现更快的数据传输。未来我们将持续开发如 5G 毫米波芯片堆叠技术的解决方案，以满足客户对射频芯片的需求。
联电强调，拥有业界最完整的射频前端模组芯片解决方案，提供包括移动设备、Wi-Fi、汽车、物联网和卫星通讯等广泛应用的需求。RFSOI解决方案系列从130到40纳米的制程技术，以8吋和12寸晶圆生产，目前已完成超500个产品设计定案，出货量更高达380多亿颗。除了RFSOI技术外，联电的6寸晶圆厂联颖光电还提供化合物半导体砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN），以及射频滤波器（RF filters）技术，可充分满足市场对射频前端模组应用的各种需求。
来源：technews(台)
