直播预告
5月14日 14:00,
今年的碳化硅季正式回归,
首期话题将为您开讲
CoolSiC™ MOSFET 2000V的
优势、特点、应用设计难点……
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作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗,适用于太阳能(如组串逆变器)以及储能系统和电动汽车充电应用。
点击视频,一起看看它如何在应用中释放高功率吧!
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