【光电集成】Nature：晶体管的未来

今日光电 2024-04-23 18:00

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摘要

图1 晶体管技术节点随时间演变示意图

[图源：Nature 620, 501–515 (2023)]

内容概述

关于大规模CMOS制造过程中的变量问题:

沟道和介电层厚度、沟道长度、掺杂密度、栅材料粒度等都会引起变化。这些变化反映在器件的电气特性上，如lon/off和Vth。随着器件尺寸(CGP)的不断减小，制造过程(如光刻)变得越来越复杂，控制和解释过程变量已成为技术可行的关键因素。

图2 晶体管尺寸微缩变量及载流子输运对器件的各种影响示意图

[图源：Nature 620, 501–515 (2023).]

图3 收集一些晶体管参数数据

[图源：Nature 620, 501–515 (2023).]

图4 超越MOSFETs的器件结构示意图

[图源：Nature 620, 501–515 (2023).]

图5 晶体管作为强大的引擎，带动信息产业各方面的发展示意图

[图源：Nature 620, 501–515 (2023).]

来源：光通信研究

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