同步整流芯片U7612详细功能干货分享

同步整流芯片U7612内部集成有智能开通检测功能，可以有效防止反激电路中由于寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通，提高了系统效率及可靠性，是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率！

在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7612处于关机状态。内部Gate 智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到 VDD_ON之后，芯片启动，内部控制电路开始工作，副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道实现续流。当VDD电压低于欠压保护阈值VDD_OFF (典型值 3.3V)后，芯片关机，副边绕组电流Is经内置MOSFET的体二极管实现续流。

变压器副边续流阶段开始时，同步整流内置MOSFET的沟道处于关闭状态，副边电流Is经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。当负向Vds电压小于同步整流芯片U7612内置MOSFET开启检测阈值Vth_on (典型值-140mV)，经过开通延迟Td_on(典型值20ns)，内置MOSFET的沟道开通。

在同步整流内置MOSFET导通期间，同步整流芯片U7612采样MOSFET漏-源两端电压(Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值Vth_off (典型值0mV)，经过关断延迟Td_off (典型值 15ns)，内置MOSFET的沟道关断。

在内置MOSFET开通瞬间，同步整流芯片U7612漏-源(Drain- Source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误关断，芯片内部集成有前沿消隐电路(LEB)。在内置MOSFET导通后的一段时间内(TLEB，典型值1.3us) ，关断比较器被屏蔽，无法关断同步整流MOSFET，消隐时间结束后芯片再正常检测关断条件。

在内置MOSFET关断瞬间，同步整流芯片U7612漏-源(Drain- Source)之间会产生电压振荡。为避免此类电压振荡干扰系统正常工作导致芯片误开通，芯片内部设置了最小关断时间(Toff_min，典型值 600ns)。在Toff_min内，开通比较器被屏蔽，无法开通同步整流MOSFET，Toff_min结束后芯片再开始检测开通条件。