插播:6月14日，汇川、英飞凌、芯联动力、泰科天润、普兴、蓉矽、晶瑞、大族及泰克邀您参加上海SiC大会，报名请扫描上方二维码。
最近，英飞凌、基本半导体、飞锃、蓉矽、Qorvo等企业相继推出了SiC MOSFET和功率模块，今天，“行家说三代半”给大家盘点一下。
英飞凌：
推出第二代SiC芯片
英飞凌正式推出第二代电源应用碳化硅芯片。
据了解，英飞凌首批提供的第二代 CoolSiC 芯片是650V和1200V MOSFET，它们可以将汽车应用中的充电和存储能量效率提高20%。此外，第二代CoolSiC 芯片的功率损耗平均降低了14%以上。因此，表面贴装封装的最大功率输出可从目前的38 Kw提高到51Kw。目前，第一批芯片已经投入生产，因为中国上汽集团的电动汽车已经使用了新的CoolSIC芯片。
基本半导体：
发布第二代SiC MOSFET新品
基本半导体发布第二代SiC MOSFET系列新品，涵盖了1200V 65mΩ/40mΩ/35mΩ/20mΩ四种比导通电阻规格，同时提供了多种封装规格选择，包括TO-247-3、TO-247-4、TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227等。
据介绍，第二代SiC MOSFET在芯片设计方案上进行了综合优化，比导通电阻降低了约40%，器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%，工作结温也达到了175°C。
基本半导体成立于2016年，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。他们覆盖了碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计与制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等，性能达到国际先进水平。
飞锃半导体：
车规级SiC MOSFET实现量产
飞锃半导体展示其车规级SiC MOSFET产品。
据了解，这些产品包括1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ规格，不仅已经实现量产，还通过了第三方车规AEC-Q101可靠性验证以及960V高压H3TRB加严测试。此外，该产品还采用了开尔文Source封装，这种封装设计避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，从而显著提升了器件的开关速度和抗干扰能力。
公开资料显示，飞锃半导体（上海）有限公司成立于2018年，致力于碳化硅器件的研发与生产。旗下主要产品线包括碳化硅二极管和碳化硅MOSFET，已经批量供应给光伏行业、车载电源等领域的头部企业。除此之外，他们还正在研发全碳化硅半桥模块产品，进一步丰富其产品线。
Qorvo：
推出紧凑型 E1B 封装1200V SiC 模块
Qorvo宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ，适用于电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。
据了解，该系列模块具有易用性、卓越的热性能、高功率密度和高可靠性的特点：
● 四款SiC模块均采用Qorvo的共源共栅配置，旨在最大限度地降低RDS（on）和开关损耗，从而最大限度地提升效率，尤其在软开关应用中；
● 银烧结芯片贴装将热阻降至0.23°C/W；与“SC”产品型号中的堆叠芯片结构相结合时，其功率循环性能比市场同类SiC功率模块高2倍；
● 该系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。
Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“对我们的客户来说，这些模块的高效率简化了电源设计流程，让他们能够专注于一个模块的设计、布局、装配、特性分析、认证，而不是众多分立元件。”
Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列
蓉矽半导体：
SiC MOSFET实现量产
蓉矽半导体宣布其1200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET已经开始量产。首批次量产的平均良率高达80%，这充分证明了该产品的高可靠性和高质量，完全满足车规主驱芯片的标准。
据了解，成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，旗下产品线包括高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”两大系列。产品涵盖了碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET，以及硅基FR MOS和理想硅基二极管MCR®。这些产品广泛应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域，为推动新能源技术的发展做出了积极贡献。
瞻芯电子：
推出1700V SiC MOSFET产品
瞻芯电子开发的首款1700V SiC MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)也通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，导通电阻标称1Ω，主要用于各类辅助电源，在新能源汽车、光储充等领域有广泛需求。这款产品现已通过多家知名客户评估测试，逐步批量交付应用。
瞻芯电子成立于2017年，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品，并围绕碳化硅应用为客户提供一站式解决方案。值得一提的是，瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司。他们的车规级SiC晶圆厂在2022年9月完成首批晶圆流片，成功打通6英寸SiC MOSFET工艺平台。
国联万众半导体：
SiC MOSFET芯片研发成功
中瓷电子在投资者互动平台上宣布，其子公司国联万众半导体的电驱用1200V SiC MOSFET芯片已研发成功，并开始交由客户进行上车验证，同时有小批量销售。
据悉，国联万众半导体成立于2015年3月，是由中国电子科技集团公司第十三研究所控股的混合所有制企业。公司主营业务涵盖第三代半导体器件的设计、封装、模块、检测和应用等产品，包括GaN射频功放和SiC功率器件等。目前，旗下主要产品包括650V、1200V和1700V在内的多种SiC功率模块等系列，并计划未来进军高压SiC功率模块领域。值得一提的是，中瓷电子车规级SiC MOSFET模块已成功向国内一线车企稳定供货数百万只。
亿率动力：
推出四合一电机控制器
亿率动力推出其四合一电机控制器。
据了解，该产品采用SiC技术，减小体积重量、提高效率、降低系统成本。其产品尺寸为292*265*104mm，月A4纸大小，重量仅8kg，提升整车续航里程，适用于微面、中面、微卡等新能源商用物流车。全液冷水道设计，发热更均衡，元器件寿命更长。
Power Cube Semi：
成功开发2300V SiC MOSFET
Power Cube Semi宣布，继去年开发1700V SiC功率半导体后，今日在韩国首次成功开发2300V SiC MOSFET。
据悉，2300V SiC MOSFET是韩国首款此类产品。该产品将应用于需要高电压和低功率的应用，如输配电。目前，正在与KEPCO进行谈判，以提供用于输电和配电的逆变器。
陕西半导体先导：
推出全碳化硅模块产品
陕西半导体先导技术中心推出其1200V 100A H桥全碳化硅模块产品。
据了解，该模块的芯片完全国产化，产品通态电阻更低、效率更高、损耗更低，可根据不同应用场景进行相应配置。该产品被誉为“龙行1200-100-H”，共SA1001K2ESHAF、SA1001K2ESHAN和SA1001K2ESHAH三个型号，主要应用于高频切换、DC/DC变流器、电动汽车直流充电器等领域。其拥有大电流密度、低电感设计、低开关损耗、高频操作，及来自MOSFET的零截止尾电流、正常关闭、故障安全的设备操作、易于并行、集成NTC温度传感器等优质特点。
阿基米德半导体：
推出单面水冷塑封SiC模块
阿基米德半导体重点推出了电流密度更高、满足800V高压平台的ACD模块(单面水冷塑封SiC模块)。
据了解，该模块融合了尖端技术，内置8片SiC芯片并联，采用有压型银烧结互连工艺和Cu Clip键合技术，确保了卓越的电气连接性能和热管理。使用的Si3N4 AMB陶瓷基板不仅增强了机械强度和热导性，还提高了整体的耐用性和可靠性。模块的直接水冷Pin-Fin结构设计优化了散热效率，允许在高功率应用中维持低温运行。ACD模块展现了低杂感、低动态损耗和低导通电阻的特点，同时提供了高阻断电压和高电流密度，确保了在严苛条件下的高性能和高可靠性。
公开资料显示，阿基米德半导体（合肥）有限公司成立于2021年，主要从事功率半导体器件、模块的研发、生产和销售，涵盖分立器件、功率模块的封装测试、芯片设计和制造，旗下主要产品为应用于新能源汽车及光伏储能领域的SiC/IGBT模块及分立器件等。
北一半导体：
IGBT/SiC模块实现量产
北一半导体宣布继2023年11月双面散热模块（DSC）成功试制后，其750V IGBT模块及1200V SiC模块具备量产能力，封装良率超过行业水平。
据了解，北一半导体其开发的SiC模块采用单面散热结构，封装形式涵盖HPSS1、HPSS2 及HPSS3，IGBT模块采用双面散热结构，封装形式涵盖HPDS1、HPDS2 及HPDS3。此外，该产品还采用半桥结构设计，直流及交流端子分别位于模块两侧。
公开资料显示，北一半导体科技有限公司成立于2020年，是一家致力于新型功率半导体模块研发、生产、销售及服务的高新技术企业。目前，北一半导体旗下晶圆工厂项目新上国外先进6英寸和8英寸晶圆生产线各一条，产品应用于变频器、UPS、工业控制、新能源汽车、充电桩等领域。
利普思半导体：
推出62mm封装SiC模块产品
利普思半导体推出全新62mm封装SiC模块产品组合。目前利普思62mm封装SiC模块已经进行上机测试并获得订单，涉及应用包括电网变流器和轨道交通车辆辅助逆变器，下游客户包括国内电网及海外轨道交通企业客户。
据了解，该模块采用工业领域大量应用的62mm模块半桥型拓扑设计，使用高品质的成熟芯片，其耐压高、损耗低、功率密度出众、短路耐量高、温度系数在1.4倍。62mm封装SiC模块包含1200V和1700V耐压规格，满足大功率应用需求，特别适用于智能电网、轨交、储能、充电、大功率电源等应用领域。
公开资料显示，无锡利普思半导体有限公司成立于2019年，主要产品包括新能源汽车和工业用的高可靠性SiC和IGBT模块。利普思透露其2200V碳化硅模块在内的一系列新产品预计也将很快投入市场。
芯塔电子：
SiC MOSFET器件即将量产
芯塔电子自主研发的1200V/80mΩ TO-263-7封装SiC MOSFET器件已成功获得第三方权威检测机构（广电计量）的全套AEC-Q101车规级可靠性认证，并且在头部OBC企业通过测试，已进入批量导入阶段。
芯塔电子成立于2018年，主要产品线包括SiC SBD、SiC MOSFET，以及全SiC/混合SiC功率模块等，同时还可以提供SiC SBD裸芯片，包括4/6英寸的裸晶圆产品。此外，芯塔电子还布局了功率模块封装产线。
昕感科技：
推出1200V/7mΩ SiC MOSFET
昕感科技推出了另一款面向新能源领域的1200V/7mΩ SiC MOSFET产品。
据了解，这款产品采用了先进的结构和制造工艺，兼容18V栅压驱动，采用TO-247-4L Plus封装，并且可以封装进定制化功率模块，以支持在汽车主驱等新能源领域中的广泛应用。
昕感科技成立于2022年，专注于第三代半导体碳化硅功率器件和模块的设计开发和制造。他们总部位于北京，并在无锡和深圳设有器件生产线和研发中心。此前，昕感科技自主研发的1200V/80mΩ SiC MOSFET器件通过了国内第三方可靠性认证，成功获得了全套AEC-Q101车规级可靠性认证。
澎芯半导体：
推出1200V/15mΩ SiC MOSFET
澎芯半导体在1200V车规级平台上推出1200V/15mΩ SiC MOSFET新品。
据了解，这款产品由澎芯半导体联手国内标杆SiC晶圆厂制造完成，产品各项参数性能指标表现非常优异，试产良率达到75%。同时，已联合模块客户（模块封装厂）和终端使用客户共同定义开发出1200V/150A和1200V/400A的模块产品，后续可提供晶圆和客制化模块两大类产品。
澎芯半导体有限公司成立于2020年，专注于SiC功率半导体器件的开发、销售和技术服务。该公司已与国内外多家专业从事SiC功率器件产业链上下游业务的企业完成深度合作，并且建立了行业领先的SiC器件仿真设计、性能参数测试、可靠性测试和晶圆测试分析平台。
南瑞半导体：
SiC MOSFET器件通过车规认证
南瑞半导体宣布其自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）已顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证。
据了解，这款器件采用了低比导微元胞芯片结构设计技术，使得其比导通电阻Ron,sp低至3.1mΩ·cm2，良率高达90%，同时可耐受高达175℃的工作结温，具有较低的比导通电阻、更小的开关损耗、较高的开关速度和较低的寄生电容。
公开资料显示，南京南瑞半导体有限公司成立于2019年，是国电南瑞与国家电网有限公司下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司共同投资设立的功率半导体企业。目前，该公司的产品主要面向大功率应用，其IGBT/FRD产品电压等级涵盖650V-6500V，SiC MOSFET产品电压等级涵盖1200V-3300V。这些产品已广泛应用于光伏发电、新型储能、充电设施和新能源汽车等领域。
澜芯半导体：
发布SiC MOSFET单管产品
澜芯半导体发布SiC MOSFET单管产品，规格为1200V/6mΩ。
据了解，这款产品采用澜芯半导体最新的第二代SiC MOSFET技术平台，TO247-PLUS封装，可以广泛应用于光伏、储能、高压充电以及单管集成主驱逆变器等领域。早在8月，澜芯半导体就表示其首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通过了1000小时175℃ 100%Vds HTRB和1000小时175℃ HTGB可靠性考核。
公开资料显示，上海澜芯半导体有限公司成立于2022年6月，是一家专注于功率芯片设计的公司。他们的产品包括碳化硅功率器件、硅基IGBT、MOSFET相关的单管和功率模块产品。研发团队具备丰富的功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。
中汽创智：
1200V/20mΩ SiC MOSFET芯片下线
中汽创智自主研发的首批1200V 20mΩ SiC MOSFET芯片在积塔工厂正式下线！
据了解，这款芯片采用平面栅型结构，拥有独立自主的知识产权。其独特的新型终端结构设计，带来了更高的工艺可靠性。在相同耐压水平下，该芯片体积更小，非常适合应用于新能源汽车的主驱逆变器等车载电源系统。
公开资料显示，中汽创智成立于2020年，由中国一汽、东风公司、兵器装备集团、长安汽车及南京江宁经开科技共同出资设立队。中汽创智表示，未来他们还将推出自主研发的1200V 40mΩ/80mΩ SiC MOSFET等产品，持续推动技术进步。
国星光电：
SiC MOSFET通过车规认证
国星光电研发的1200V/80mΩ SiC MOSFET顺利获得了AEC-Q101车规级认证，并通过了高压960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核。
据了解，这款车规级器件采用了国星光电自主研发的NSiC-KS封装技术。这种技术有效地避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦。这使得器件的开关损耗和开通损耗显著降低，开关频率更快，并且寄生电感和误开启风险也大大降低。
公开资料显示，佛山市国星光电股份有限公司成立于1969年，专业从事研发、生产、销售LED及LED应用产品。旗下第三代半导体产品系列覆盖碳化硅分立器件（SBD、MOS）、碳化硅功率模块、氮化镓分立器件等。
中科汉韵：
车规级晶圆实现交付
中科汉韵宣布其车规级SiC MOSFET晶圆已经成功实现交付。
据了解，这款产品包括1200V/17mΩ和750V/13mΩ两种型号，将应用于电动汽车的主驱系统中。经过一系列的验证，包括工程批工艺开发、工艺平台逐步稳定、小批量交付客户、器件参数稳定以及客户模块参数验证和模块产品可靠性验证等，中科汉韵从今年开始批量交付车规级SiC MOSFET晶圆产品，良率达到70%以上。
中科汉韵成立于2019年，由中国科学院微电子研究所和徐州中科芯韵半导体产业投资基金共同投资。他们致力于成为提供全面的车规级碳化硅芯片与功率器件组合产品的IDM厂商。
纳芯微：
推出1200V SiC MOSFET产品
纳芯微宣布其1200V SiC MOSFET产品正在逐步进行客户送样和验证工作。
据了解，该系列产品包括四种规格的Rdson（Vgs=18V），分别为14/22/40/60mΩ，并计划经过全面的车规级认证，以确保完全符合汽车级应用的需求。
公开资料显示，纳芯微自2013年成立聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向,提供丰富的半导体产品及解决方案,并被广泛应用于汽车、工业、信息通讯及消费电子领域。自2022年开始，纳芯微开始布局SiC器件，包括SiC二极管和SiC MOSFET等产品。其中，SiC MOSFET主要聚焦于OBC应用，同时也在开发适用于主驱逆变器的产品。
杰平方半导体：
推出SiC MOSFET产品
杰平方半导体发布自主研发的SiC MOSFET产品JPM120020B。
据了解，这款产品规格为1200V/20mΩ，具有出色的稳定工作温度达175℃，采用了先进的减薄工艺。它具备优异的低阻抗特性，能有效减小器件能量损耗。同时，经过严苛的可靠性认证，包括大批量的HTRB、HTGB测试和HV-H3TRB测试，确保了其在光伏逆变、新能源汽车、充电桩、储能等领域的应用可靠性。
公开资料显示，杰平方半导体成立于2019年，专注于车载芯片的研发，主要面向电能转换、通信等领域，提供高性能碳化硅（SiC）芯片、车载以太网芯片等前沿产品。目前，杰平方旗下位于香港的8英寸SiC IDM晶圆厂项目已启动，计划投资港币69亿元。该项目预计在2028年达到年产24万片的产能。
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