更宽的栅极驱动电压范围(-8~22V)
支持+15V,+18V驱动模式(可实现IGBT兼容:+18 V)
+18V模式对下,RDSon可降低20%
更好的RDSon温度稳定性
出色的阈值电压一致性
Vth在25°C~175°C的范围保持在2.0V~2.8V之间
体二极管正向压降非常低且稳健性高
100%的雪崩测试,从而提高整体的可靠性,抗冲击能力强
此外,功率产品开发中可靠性验证与质量控制是纳芯微非常重视环节之一。为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品,在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制,所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试,100%抗雪崩能力测试。此外,会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来执行产品可靠性验证,如下图:
以执行较为严苛的HV-H3TRB为例,在可靠性1000小时测试后,该款产品仍具有比较优异的稳定性。
NPC060N120A产品选型表
纳芯微SiCMOSFET命名规则
未来,纳芯微将持续扩大产品阵容,推出更多规格产品供客户选择。
IPF 2024 第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会暨化合物半导体产业高峰论坛
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