半导体器件模型是连接代工厂和IC设计公司之间的桥梁。器件建模，顾名思义就是对于器件或者电路的电学行为比如电流电压关系，电容电压关系以及S参数和频率关系等等的一个数学描述。
器件模型通过PDK的方式集成到仿真工具中，这样IC设计工程师在电路设计软件中调用的器件，才能包含了器件模型和版图的信息。只有精准的器件模型才可以保证精准的电路仿真结果，加速产品上市。
器件模型有很多种类型：紧凑模型 (Compact Model)，宏模型 (Macro Model)，Verilog-A模型等。随着半导体器件尺寸的缩小，越来越多的工艺使用binning模型的方式，与传统的global模型相比，binning模型可以提供更高的精度，但它同时带来了QA的问题。
在整个半导体工艺的开发周期内，每次spec修改都需要重新建立模型，本次会议将重点介绍如何用重定位(re-centering)的方法快速完成器件模型的更新。与传统建模方法相比，使用re-centering可以节省70%以上的时间。
过去十年，氮化镓（GaN）已在多个行业领域产生了重大影响，比如射频、电力电子方面。作为一种新的宽禁带化合物半导体材料， GaN要使用起来，晶圆厂必须先完成器件的建模的工作。GaN在器件特性上由于具有陷阱特性(trapping effect)，因此也需要精准的模型描述该效应。针对这一专题，我们也会进行讨论。
与会专家还将分享他们在半导体器件建模领域的工程实践经验，探讨在实际项目中遇到的挑战与解决方案。
