来源：长江日报
4月9日，2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会开幕。九峰山实验室主任丁琪超在开幕式上向全球来宾推介实验室，他介绍，九峰山实验室定位于“化合物半导体研发和创新平台”，以开放、公共、共享的价值观，服务于全产业链和科研界。同时，他带来了第一张8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆，这也是全球范围内目前集成度最高的光电芯片。
丁琪超在开幕式现场发言
从“窄”到“宽”具备全链条研发能力
丁琪超介绍，实验室搭建了丰富的化合物半导体材料体系，可以支撑从“窄禁带”“宽禁带”到“超宽禁带”半导体一系列工艺研发过程，同时也布局了如铌酸锂材料、PZT材料等特色的功能性材料。
丁琪超介绍，团队通过一年半到两年时间进行建设和工艺制成调试，已全线贯通7条特色工艺线，每条工业线具备小批量产能，支撑科研和技术在平台研发后可以快速进行产业转化和产品实现。
丁琪超介绍，实验室投资4亿元，同步建设了一个先进的检测分析平台，已具备比较先进的芯片检测能力。去年以来，这块业务持续增长，为全国20多个省市的企业和单位提供了服务。
九峰山实验室
“异质集成”能力做到全球一流
丁琪超重点介绍了实验室的6个技术能力体系。如实验室核心技术方向之一的“异质集成”，能通过8英寸硅集成不同化合物半导体材料，发挥不同材料最优势特性，集成相关芯片。所以我们基本上实现8英寸硅基薄膜铌酸锂异质集成技术。他还展示了8英寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆，这也是全球范围内目前集成度最高的光电芯片。
在“化合物外延”这一技术能力构建中，实验室已建设3000平方米外延中心，涵盖了非常丰富的设备种类体系；在“集成微波无源器件”这一技术能力构建中，实验室通过人工智能最新的一些建模技术，实现了非常丰富的无源基于硅基射频电路模型，精度达到小于2%误差；在介绍“碳化硅（SiC）沟槽”技术能力时，他表示，实验室从初期就布局沟槽型SIC技术能力，持续攻克关键难点工艺，例如可实现3μm以上超深结构刻蚀。他还现场展示了昨天刚下线的新版本的碳化硅MOSFET器件。
丁琪超介绍，针对异质集成实验室一直认为的未来重点发展方向，九峰山实验室将持续推出基于异质集成相应技术的实现和突破。同时，实验室还发布了五个开放式基金课题，期待与更多同仁一起合作，一起推进相应的技术开发。
