4月10日，在2024武汉九峰山论坛上，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关，首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。
据李祥东教授在会上介绍，通过调控外延工艺，其GaN外延片不均匀性控制在4%以内，所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%，击穿电压轻松突破2000V。
李祥东教授在2024武汉九峰山论坛上报道8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆
据行业人士推测，该8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件具有标志性意义，目前200V以下以及650V左右的GaN功率HEMT已在8英寸晶圆线上实现了量产，然而在8英寸线上实现2000V级别的GaN器件的展示尚属首次。
8英寸晶圆将是GaN成为主流电力电子器件的必由之路，其成本将极具竞争优势：
一方面，由于转向8英寸晶圆，每片GaN HEMTs晶圆的芯片数将比6英寸晶圆多近2倍，GaN器件成本与6英寸方案相比也将大幅下降。
另一方面，采用蓝宝石衬底可以大幅提升GaN耐压，市场应用从消费类转向工业和汽车等领域，需求进一步打开，而随着8英寸蓝宝石衬底制备工艺的日趋成熟和大批量出货，氮化镓器件成本也有望进一步下降。
第三，叠加致能自主开发的超薄缓冲层和简单场板设计等优势，蓝宝石基GaN HEMTs晶圆成本还可降至更低。
来源：行家说三代半、集邦化合物半导体
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