为满足客户对更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）扩展了旗下串行SRAM产品线，容量最高可达4 Mb，并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口（SPI/SQI™）的速度提高到143 MHz。新产品线包括提供2 Mb和4 Mb两种不同容量的器件，旨在为传统的并行SRAM产品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存储器中包含可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留数据。
并行RAM需要大型封装和至少26-35个单片机（MCU）I/O接口，而Microchip串行SRAM器件采用成本较低的8引脚封装，并采用高速SPI/SQI通信总线，只需要4-6 个MCU I/O 引脚即可轻松集成。这减少了对更昂贵、高引脚数MCU的需求，有助于最大限度地减少整个电路板的尺寸。
2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解决了串行SRAM最常见的缺点——并行比串行存储器快，通过可选的四通道SPI（每个时钟周期 4 位），将总线速度提高到143 MHz，大大缩小了串行和并行解决方案之间的速度差距。
Microchip存储器产品业务部总监Jeff Leasure表示：“对于需要比MCU板载RAM更多的RAM但又希望降低成本和减小电路板总尺寸的工程师来说，串行SRAM是一种很受欢迎的解决方案。Microchip的2 Mb和4 Mb串行SRAM器件旨在以简便且具有成本效益的替代方案取代昂贵的并行 SRAM。”
这些小尺寸、低功耗、高性能串行SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间，是涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、计量以及其他数学和数据密集型功能的应用的绝佳选择。这些器件的容量从64 Kb到4 Mb不等，支持 SPI、SDI 和 SQI 总线模式。
原文转自Microchip微芯
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