来源：镓仁半导体
来源：集邦化合物半导体
以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带化合物半导体（又称“第三代半导体”）是战略性新兴产业的核心材料，可满足现代电子技术对高温、高功率、 高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能、电网等行业应用前景广阔，并在显示与LED、射频等领域有重要应用。
据行业机构预测，2029年碳化硅产品市场将达94亿美元，中国将占据半数份额。其中衬底及外延环节成本占比极高且技术含量密集，是投资和创新重点。目前6英寸碳化硅已经稳定导入产业，8英寸项目国内外陆续发布，国内头部企业天岳先进、烁科晶体、天科合达等市占率全球靠前，供货国际头部功率半导体企业；器件方面，国产新能源汽车将带动本土企业不断突破及替代，意法与三安等国际合作也表明国内企业具备较强竞争力。
氮化镓功率产品市场需求预计2028年增至27亿美元，复合年增长率超60%。近年来，国内企业如英诺赛科、士兰明镓、三安光电等不断布局氮化镓项目，国外龙头如英飞凌、意法等也积极扩张氮化镓业务，增长潜力强劲。此外，氧化镓、氮化铝等下一代超宽禁带半导体制备正不断突破，产业化可期。
第四届碳化硅/氮化镓化合物半导体论坛2024将于2024年6月20-21日在太原召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术、项目投资与投产进展，碳化硅、氮化镓长晶与外延技术新突破，新一代超宽禁带半导体应用与产业化现状。参观碳化硅/氮化镓化合物半导体重点企业与项目。
会议主题：
国际形势对中国化合物半导体发展的影响
化合物半导体市场及产业发展机遇
6英寸与8英寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶与外延工艺技术现状
液相法制备3C-SiC技术进展
SiC国产化进程与设备国产替代
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
硅基/碳化硅基GaN外延片技术进展
GaN长晶难点及技术展望
1SiC与GaN器件下游应用及制造难点
1三代半功率器件封装技术
超宽禁带半导体材料进展：Ga2O3、AlN、金刚石等
工业参观与考察（重点企业或园区）
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中国大陆半导体大硅片项目表（月度更新）
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