近日,青岛四方思锐智能技术有限公司(简称:思锐智能)完成了数亿元B轮融资。本轮融资由上汽集团战略直投、尚颀资本和鼎晖投资联合领投;招商局创投、上海金浦、新鼎资本、创新工场、华控基金、青创投等知名投资者跟投;海松资本、海澳芯科、鑫芯创投、珩创投资、同歌创投等老股东持续加持。
青岛四方思锐智能技术有限公司成立于2018年,总部位于中国青岛,并在北京、上海设有研发中心。思锐智能主要聚焦关键半导体前道工艺设备,产品包括原子层沉积(ALD)设备及离子注入(IMP)设备,可广泛应用于集成电路、第三代半导体、新能源、光学、零部件镀膜等诸多高精尖领域。
思锐智能官方消息显示,2018年,公司完成对ALD技术发源地——芬兰倍耐克公司100%股权的收购工作。思锐智能整合倍耐克海外前沿技术研发资源,开展ALD技术国内外联合研发与国内产业化落地工作,建立了完善的ALD产品体系,覆盖全球众多头部客户并在众多细分领域取得领先的市场竞争地位。在推进ALD业务转型升级后,布局离子注入设备业务并取得突破。思锐智能以高能离子注入机为切入点开展研发,解决国内高端离子注入机”卡脖子“问题,逐步完成硅基及化合物半导体领域全系列机型的布局。
思锐智能已形成“双主业”布局,服务累计超过500家全球客户,业务范围覆盖全球40个国家和地区。
思锐智能副总经理陈祥龙近期表示,自2021年以来,思锐智能组建核心技术团队,开启离子注入设备研发攻关,2023年首台高能离子注入机取得技术突破并获得国内头部客户订单,同步持续完善业务布局。思锐智能高能离子注入机具备射频传输效率高、能量分辨率高的优势,其关键特性包括射频段传输效率达到30%-50%的水平;能量分辨率高达±1%,小于业内的±2.5%水平等,在关键设备国产化方面实现了技术领先。
来源:集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带化合物半导体(又称“第三代半导体”)是战略性新兴产业的核心材料,可满足现代电子技术对高温、高功率、 高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能、电网等行业应用前景广阔,并在显示与LED、射频等领域有重要应用。
据行业机构预测,2029年碳化硅产品市场将达94亿美元,中国将占据半数份额。其中衬底及外延环节成本占比极高且技术含量密集,是投资和创新重点。目前6英寸碳化硅已经稳定导入产业,8英寸项目国内外陆续发布,国内头部企业天岳先进、烁科晶体、天科合达等市占率全球靠前,供货国际头部功率半导体企业;器件方面,国产新能源汽车将带动本土企业不断突破及替代,意法与三安等国际合作也表明国内企业具备较强竞争力。
氮化镓功率产品市场需求预计2028年增至27亿美元,复合年增长率超60%。近年来,国内企业如英诺赛科、士兰明镓、三安光电等不断布局氮化镓项目,国外龙头如英飞凌、意法等也积极扩张氮化镓业务,增长潜力强劲。此外,氧化镓、氮化铝等下一代超宽禁带半导体制备正不断突破,产业化可期。
第四届碳化硅/氮化镓化合物半导体论坛2024将于2024年6月20-21日在太原召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术、项目投资与投产进展,碳化硅、氮化镓长晶与外延技术新突破,新一代超宽禁带半导体应用与产业化现状。参观碳化硅/氮化镓化合物半导体重点企业与项目。
会议主题:
国际形势对中国化合物半导体发展的影响
化合物半导体市场及产业发展机遇
6英寸与8英寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶与外延工艺技术现状
液相法制备3C-SiC技术进展
SiC国产化进程与设备国产替代
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
硅基/碳化硅基GaN外延片技术进展
GaN长晶难点及技术展望
1SiC与GaN器件下游应用及制造难点
1三代半功率器件封装技术
超宽禁带半导体材料进展:Ga2O3、AlN、金刚石等
工业参观与考察(重点企业或园区)
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