集邦咨询的最新报告显示，2024年第一季度全球NAND闪存和SSD固态硬盘市场都出现了大幅价格上扬，最高幅度接近30％，而在接下来的第二季度，涨价还会继续。
第一季度，整个NAND闪存市场估计涨价约23-28％，其中3D闪存晶圆、消费级SSD、企业级SSD的涨幅保持惊人一致，全都是23-28％，eMMC/USF的涨幅略高一些达到了25-30％。
第二季度，预计闪存市场将整体继续上涨13-18％。
其中，企业级SSD延续“强劲”势头，预计再涨20-25％，消费级SSD、eMMC/UFS则都会涨10-15％。
报告指出，消费级SSD市场目前仍处于淡季，买方备货策略保守，部分PC OEM厂商甚至下调了订单。
UFS方面，东南亚、印度智能手机市场近期需求明显增长，尤其是中国品牌提前加大订单，已建立安全的库存水平。
同时，2024年第一季度DDR内存市场估计整体上涨了约20％之多，第二季度还会继续涨，不过幅度会下降到3-8％。
原因主要是今年整体需求前景不佳，而且去年第四季度起供应商已经连续大幅涨价，缺乏后续动力。
分领域来看，第一季度内，PC内存的价格涨了15-20％，DDR4、DDR5莫不如此。
值得一提的是，AI PC虽然概念大火，但刚刚起步，短期内前景仍有待观察，DDR5内存涨价的动力也有些不足。
服务器端涨15-20％，移动端涨18-23％，消费电子类涨10-15％(其中DDR3 8-13％、DDR4 10-15％)。
用于显卡的显存也涨了13-18％，尤其是2GB GDDR6需求强劲，但原厂纷纷将精力转向利润更高的HBM，对于GDDR的规划稍显保守。
到了第二季度，所有领域的价格涨幅都将在3-8％左右，只有移动端DDR4的幅度会高一些达到5-10％。
新技术方面，三星要搞3D内存了。
3D晶体管正在各种类型芯片中铺开，3D DRAM内存也讨论了很多年，但一直没有落地。如今三星公开的路线图上，终于出现了3D DRAM。
三星的DRAM芯片制造工艺目前处于1b，后续还有1c、1d，都是10nm级别。
再往后的10nm以下节点，将分别命名为0a、0b、0c、0d，其中打头的0a工艺预计2027年底-2028年初量产(月产能超过2万块晶圆)，0d则要到2032年。
就在进入10nm之后，三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。
大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。
