消息称台积电美国工厂4月中旬试产;英伟达2023年Q4销售额登顶半导体市场;传三星企业级SSD将涨价20%以上|新闻速递

TechSugar 2024-04-03 08:01

五分钟了解产业大事


每日头条新闻

  • 消息称台积电美国工厂4月中旬试产

  • 上海交通大学集成电路学院成立

  • 国内星闪数字车钥匙标准发布

  • 机构:英伟达2023年Q4销售额登顶半导体市场

  • 消息称AMD评估多家供应商玻璃基板样品,有望最早于明后年导入

  • 传三星企业级SSD将涨价20%以上

  • 消息称苹果计划今年晚些时候推出低价AirPods耳机

  • 美科技巨头要求富士康等转至墨西哥生产AI硬件,降低对华依赖

  • 三星电子去年股东回报率达77.6%,远超微软和Meta

  • 消息称台积电追加CoWoS封装设备订单

  • 我国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证

  • SK海力士宣布业界率先完成氖气回收技术开发,每年可节省400亿韩元

  • 软件业前2个月集成电路设计收入463亿元,同比增长12%

  • 乘联会预估3月全国新能源乘用车厂商批发销量82万辆,特斯拉8.9万辆


1

消息称台积电美国工厂4月中旬试产


据台媒报道,台积电美国亚利桑那州工厂正处于“冲刺”状态,计划4月中旬进行首条生产线试产,如果一切顺利,投产时间有望提前到2024年年底。


报道称台积电美国亚利桑那州工厂正加速推进各项工程,计划今年4月中旬进行第一条生产线的试产,并力争在今年年底前完成量产的所有准备工作。


报道称如果一切顺利,台积电美国工厂原定于2025年上半年量产的时间有可能提前到2024年底。


对此,台积电回应称,正在按计划推进亚利桑那晶圆厂进度,相关信息请参阅该公司的官方公告。


2

 机构:英伟达2023年Q4销售额登顶半导体市场


研究机构TechInsights统计显示,2023年第四季度英伟达半导体销售额增长23%至198亿美元,成为全球最大的半导体供应商。自ChatGPT带火人工智能(AI)以来,英伟达GPU销售额快速增长,季度营收超过半导体行业巨头台积电(196亿美元)、三星(164亿美元)和英特尔(146亿美元)。



TechInsights表示,英伟达是图形处理器(GPU)开发的先驱,最初专为游戏及图形行业设计,然而GPU强大的计算能力如今非常适合人工智能和机器学习等技术,这对于快速增长的数据中心市场变得越来越重要。

3

【传三星企业级SSD将涨价20%以上】


据业界消息,三星预计将在今年第二季度提高企业级SSD的价格,涨幅可达20%~25%。最初,三星计划涨价15%,但需求的激增高于预期,因此三星将提高价格涨幅。


目前三星是企业级SSD市场的领导者,占据约一半市场份额,因此三星的动作对行业有重要影响。


英伟达、特斯拉等全球科技公司,以及戴尔、HPE等大型服务器公司正在竞相抢购固态硬盘。一位半导体业内人士表示,寻求扩大存储容量的服务器公司最近都在抢购固态硬盘,部分产品甚至出现缺货现象,因此存储芯片公司考虑提高产量。


4

美科技巨头要求富士康等转至墨西哥生产AI硬件,降低对华依赖


美国一些最大的人工智能(AI)科技公司已要求制造合作伙伴富士康等厂商,加强在墨西哥生产AI相关硬体,以减少对华依赖。据产业高层和分析师称,富士康和其他公司正响应这项号召,扩大在墨西哥的投资。


今年2月,富士康表示斥资约2700万美元在墨西哥西部哈利斯科州(Jalisco)收购土地,知情人士称,这是该公司人工智能服务器生产的重大扩张。富士康表示,过去4年已在墨西哥投资约6.9亿美元。


富士康的墨西哥工厂为美国巨头制造人工智能服务器,例如亚马逊、Google、微软和英伟达。


墨西哥最大的私营部门组织负责人弗朗西斯科·塞万提斯(Francisco Cervantes)去年表示,富士康等企业在墨西哥的业务不断增加,是未来10年大幅改变墨西哥产业结构进程的一部分。

5

【消息称台积电追加CoWoS封装设备订单】


据晶圆厂设备制造商透露,台积电已下达更多设备订单,以提高其CoWoS封装制造能力。


消息人士称,台积电最近制定了增加其先进封装产能的策略。作为该计划的一部分,台积电打算在中国台湾南部城市嘉义建设其第六个后端制造工厂,预计将于2025年8月落成。台积电也加快了相关设备订单的步伐,晶圆厂设备供应商的订单可见性已延长至2024年底。


今年3月,中国台湾当局宣布,台积电先进封装厂(CoWoS)将进驻嘉义科学园区,建设许可已至最后审查阶段。

6

【我国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证


据湖北九峰山实验室消息,九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队,支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。


该研究通过巧妙的化学结构设计,以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”,最终得到光刻图像形貌与线边缘粗糙度优良、space图案宽度值正态分布标准差(SD)极小(约为0.05)、性能优于大多数商用光刻胶。且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对吞吐量和生产效率的需求。


该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向,同时为EUV光刻胶的着力开发做技术储备。


END

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评论
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