答题|掌握了这个分析方法，实现传输线阻抗5%的加工公差不是梦！

感谢各位网友的精彩评论，以下是高速先生的一些观点：

1，DOE控件就是通过分析组成的参数的误差来得到最终结果的误差度影响，就像本例子的阻抗，我们首先知道影响的阻抗的因素，然后再把这些因素进行参数化去进行DOE仿真。

2，那么损耗其实也是一样，首先我们必须知道影响传输线损耗的因素，例如线宽，板材损耗因子（DF），铜箔粗糙度，绿油DF（针对表层走线），这样我们同样可以去做这个损耗的DOE仿真。至于哪个影响因素比较大，其实根据不同的叠层和板材的组合可能不是个固定的值，线宽、铜箔粗糙度主要导致导体损耗，板材DF决定介质损耗，要看两者的权衡，大家可以去试试哈！

3，当然无论是阻抗也好，损耗也好，或者其他的应用场景，如果后面要精确的控制误差的话，这个DOE分析方法非常有意义，我们可以根据理论找到接近全部的影响参数，然后通过DOE仿真来确定哪个参数的影响度最大，从而去更加严格的控制它，这样就是进一步的减小误差，是一种非常有效的分析方法！

既然阻抗跟线宽、线间距、上介质厚度、下介质厚度、铜厚、板材的介电常数有关，所以损耗肯定跟这些因素也相关。我觉得介电常数和线宽，线长的影响较大。

损耗的影响因素很多，板材的介质损耗、传输线长度、铜箔粗糙度、过孔、stub、差分不等长、串扰等等，其中前两到三个是主要的影响因素。

做产品的时候板厚和叠层确定好了之后，高速信号线为了控制阻抗，影响线宽的是介质的选择，影响最大的应该是不同板材的影响较大（也就是Df这个参数影响较大），其次就是铜箔的厚度和其粗糙度，目前的112G高速也就是要采用M7/M8的板材（目前这个也是行业的顶峰了，这个做的df就极低） 

1.高频损耗，与线宽误差，dk df损耗，阻抗匹配，线厚以及粗糙度有关。其中以阻抗匹配影响最大，其次分别为dk  df,粗糙度，最后是线宽线厚。并且dk df 和,粗糙度，线宽线厚都会影响阻抗。
2.低频损耗，与阻抗，dk df，线宽线厚有关。阻抗影响最大，线宽线厚次之，最后dk df

@ Ben

传输线损耗分为导体损耗，介质损耗，耦合到邻近走线，阻抗不连续，对外辐射。按照以往的设计经验来说影响较大的是走线长度（导体损耗）和板材的DF介电损耗（介质损耗）。比如高速信号走线过长，或者用普通的板材走高速信号对传输线损耗都挺大。

影响损耗最大的因素是板材的介质损耗，同时铜箔的表面粗糙度和玻纤效应对损耗也有一部分影响，再者就是设计的优化程度，不同的过孔仿真结果，会带来链路的不同损耗。走在表面的走线还要考虑表面处理带来的影响。

损耗分为介质损耗、导体损耗、串扰损耗、热损耗、辐射损耗。但基本只考虑前两个因素，因为这两个因素占了绝大部分比例。介质损耗和导体损耗的比例，在选用不同Df板材和频率下，会有不同的表现。一般来说，选用低Df的板材，高频下（可能得二十GHz以上，得仿真确认），走线的损耗占比超过介质损耗了。一般情况下，可能在十GHz以内，介质损耗占比大。

介质损耗就与板材的损耗角正切值有关，这个一般是板材或者PP的参数（所以选定材料后，这个损耗值相对线性）；导体损耗受到线宽的影响，高频下趋肤效应加大了导体损耗（导体损耗就有随频率增大的趋势）。 

损耗的话应该跟铜箔粗糙度，铜厚，走线宽度，走线长度和介质的DF等参数有关，影响比较大的因素应该是走线长度（导体损耗）和DF（介质损耗） 

影响损耗的因素也比较多，导体、介质、反射、辐射、耦合等都会造成损耗，其中影响最大的还导体的长度。之前有个项目是RDL工艺，线宽4um和8um时（差分阻抗都是100Ohm）时，10mm长度1GHz时的插损居然将近0.5dB，所以还要看做什么，具体问题再具体分析

影响走线损耗参数的有：
1.介质损耗因子 (Df 或 Tan δ)
2. 介电常数 (εr)
3.传输线尺寸:线宽（W）、线距（S）、线厚（T）以及传输线的总体长度（L）
4. 铜箔粗糙度和厚度
5. 如果是表层走线还要考虑表面处理工艺
6. 换层过孔，回流地孔、反焊盘优化设计。
7. STUB长度和端接方式。
从个人经验看:介质损耗因子，表面粗糙度和传输线线宽影响是最大的。stub影响也大但是不在本例参数扫描中。  

损耗跟线宽，线间距，材料损耗，参考层厚度，蚀刻因子，铜箔粗糙度，阻抗一致性，残桩长度，回流路径等有关。 影响最大的材料损耗，阻抗一致性和传输回流路径 

与板材DF值，线宽，线距，阻抗波动相关。影响大的是DF值和阻抗波动 

要说损耗，介电常数影响大。

如果说的是信号的损耗:阻抗的影响最大，不然怎么天天说阻抗匹配呢？其次就是材料损耗，加工导致的线宽，铜厚误差。
如果说的是电源方面的损耗，那铜厚影响最大，其次就是线宽 

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