新品介绍
瑞萨RA家族新增RA2A2 MCU产品组。RA2A2系列是一款低功耗微控制器，结合了48MHz Arm® Cortex®-M23内核和丰富的外设功能。该低功耗器件提供24位Sigma-Delta模数转换器（SDADC）以及创新的dual-bank代码闪存和bank swap功能，可以轻松实现固件（OTA）更新。
RA2A2提供多种电源结构和电压检测硬件，可实现高能效、超低功耗运行（通常模式下低至100 µA/MHz，软件待机模式下低至0.40 µA）。独立电源实时时钟可延长电池寿命，适合在极端条件下需要长寿命管理的应用。该MCU还提供AES硬件加速、高精度（±1.0%）高速片上振荡器、温度传感器以及1.6V至5.5V的宽工作电压范围。
• 48 MHz Arm Cortex-M23内核
• 512KB闪存（Dual Bank）和48KB SRAM
• 8KB数据闪存（100,000次编程/擦除（P/E）周期）
• 64引脚、80引脚和100引脚LFQFP封装选项
• 24位Sigma-Delta A/D转换器、12位A/D转换器和温度传感器
• 16位通用定时器、32位和16位低功耗AGT定时器以及独立电源RTC
• SCI（UART、简单SPI、简单I2C）、SPI和I2C总线
• 段式LCD控制器（8com×38seg）
• 信息安全，包括AES、安全MPU、Flash Access Window、TRNG
本文主要介绍以下3个特性：
24位Sigma-Delta A/D转换器
段式LCD控制器（8com×38seg）
Dual Bank闪存
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24位Sigma-Delta A/D转换器
24位SDADC实现了低功耗和高精度A/D转换，适用于功耗敏感的测量应用。
• 具有同步采样架构，高达7通道
• 内置数字滤波器（LPF+HPF）
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段式LCD控制器（8com×38seg）
如上图所示，RA2A2实现了新模式来支持系统级的低功耗操作。
一种是内部升压方式的VL2参考模式，另一种是电容分流方式的VL4参考模式。
与现有的VL1参考模式相比，VL2参考模式提高了LCD面板驱动的升压效率。
在VL1参考模式下，需要将MCU VCC降至1.0V一次，然后需要升压至3.0V。
然而，VL2参考模式能够节省MCU电流，因为VL2模式生成2.0V作为参考电压。通过将参考电压从1.0V提高到2.0V，与VL1参考模式相比，面板工作电流可以减少一半，有助于系统级的功率电流降低。
VL4参考模式在内部电压产生电路产生3V电压。然后，从3.0V降压产生VL2和VL1。因此，VL4可以减少用于LDC面板驱动的MCU电流。与VL1模式相比，面板工作电流可减少至三分之一。
由于面板驱动电流对使用电池供电的便携式LCD应用等应用的电池寿命影响巨大，因此VL2模式或VL4模式有助于延长电池寿命。
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512KB闪存（Dual Bank）
RA2A2灵活的Dual Bank闪存可通过bank swap功能轻松实现固件更新。
• Single Bank和Dual Bank均可用（通过寄存器切换）
• Dual Bank模式可轻松实施固件更新
上图示例的概念就是用户能够在不中断操作的情况下更新固件。
综合来说，RA2A2适用于智能能源管理、楼宇自动化、医疗设备、消费电子产品和其他可以从固件更新中受益的物联网应用。更多信息，您可点击文末阅读原文访问产品页了解。
如您在使用瑞萨MCU/MPU产品中有任何问题，可识别下方二维码或复制网址到浏览器中打开，进入瑞萨技术论坛寻找答案或获取在线技术支持。
https://community-ja.renesas.com/zh/forums-groups/mcu-mpu/
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