注：不同于质保寿命，消费级原厂 TLC 固态硬盘在测试中普遍至少拥有 3000 次 P / E 级别的擦写寿命。
▲ 图源中国闪存市场峰会 CFMS 官方，下同
长江存储 CTO 霍宗亮表示，目前 NAND 闪存行业已度过了最艰难的 2023 年，今年将进入上升期，预计 2023~2027 年的闪存需求总量复合增长率可达 21%，单台设备平均容量的复合增长率为 20%。
在这个上升周期中，存储市场面临的三大新挑战是每 Gb 成本快速降低、读写性能加速提升和满足多样化需求，客户期待的是以同样的价格获得更高密度的存储。
而在密度提升方面，3D NAND 的堆叠层数提升成为业界新问题，因此有必要推动 QLC NAND 的应用。根据市场预测，到 2027 年 QLC 占比有望超过 40%，大幅高于去年的 13%。
长江存储表示，其采用第三代 Xtacking 技术的 X3-6070 QLC 闪存相较上代产品 IO 速度提升 50%、存储密度提高 70%、擦写寿命达 4000 次 P / E。
这意味着长江存储的 QLC 技术已开发成熟，可向企业级存储、移动端等领域扩展。忆恒创源就在此次峰会上展示了基于长存 QLC 闪存的 PBlaze7 7340 系列数据中心级固态硬盘。
在技术细节方面，Xtacking 结构将 CMOS 电路同闪存阵列分离的设计对操作算法带来了更大灵活性，从而提升了 QLC 的可靠性。此外第三代 Xtacking 技术可实现更灵活的电压调制，读取窗口裕度得到了提升。
此外，长江存储还在现场展示了 PC41Q 消费级 QLC 固态硬盘。PC41Q 顺序读写带宽达 5500MB/s，长江存储宣称该款固态硬盘的数据保持能力和可靠性媲美 TLC 固态硬盘，实现了 30℃ 下 1 年的数据保持和 200 万小时的 MTBF 时间。
科普：QLC和TLC Nand 闪存
QLC和TLC是两种不同的闪存存储技术。虽然它们都是基于NAND闪存的，但它们在存储密度、寿命、价格等方面有所不同。
QLC是四位存储单元技术，也就是说每个存储单元可以存储4个比特，而TLC是三位存储单元技术，每个存储单元可以存储3个比特。由于QLC可以存储更多的比特，所以它的存储密度更高，价格也更低。但是，QLC的寿命比TLC更短，因为它的写入次数更少。
