2024年以来，“行家说三代半”发现已有4家SiC企业顺利通过车规认证，拿下“汽车供应链”的入场券：
● 蓉矽半导体：SiC MOSFET通过AEC-Q101、HV-H3TRB测试；
● 钧联电子：SiC功率模块通过AQG-324测试；
● 海乾半导体：SiC外延获得IATF16949、ISO9001认证；
● 希科半导体：SiC外延通过IATF16949认证。
蓉矽半导体：
SiC Mos交付新能源头部厂商
3月11日，蓉矽半导体在官微宣布，他们自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。
据悉，AEC-Q101认证是汽车行业最为核心的国际标准之一，是国际汽车行业通用的技术规范，包括各类环境应力、可靠性、耐久性、寿命测试等。此外，AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V，而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V。
蓉矽半导体的SiC MOSFET的电压等级为1200V，不仅顺利获得了 HV-H3TRB可靠性验证，对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题，还通过了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB考核，表明器件在更为极端的应用场景中，也能满足新能源汽车、光伏逆变等领域的高质量和可靠性要求。
除了通过AEC-Q101认证外，蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链。
此前，蓉矽半导体副总经理高巍接受“行家说三代半”采访时表示，蓉矽半导体将坚持“一代量产、一代研发、一代先进”的发展路线，预计在2024年下半年，推出第二代SiC MOSFET产品。
钧联电子：
SiC模块通过AQG-324测试
3月28日，钧联电子宣布他们自研的一款SiC功率模块通过了AQG-324车规级可靠性测试认证。
据悉，AOG-324测试认证的内容包含模块测试、模块特性测试、环境测试、寿命测试四大严格测试评估，以确保功率模块在各种极端条件下都能稳定、高效地工作，满足车规级的高标准要求。
此次钧联电子的SiC模块通过验证后，将成为一款在业内具有技术领先性的车规级HPD单面水冷SiC功率模块产品，同时也代表钧联电子成为业内为数不多具备从SiC功率模块到800V高压电控、电驱总成产品的全链条研发设计、测试验证生产一体化公司。
官网资料显示，合肥钧联汽车电子有限公司成立于2020年，是一家致力于新能源汽车电机控制器与配套功率半导体模块的研发制造企业，正在深耕第三代功率半导体和SiC高功率密度动力域控制器领域，并于2023年8月实现800V SiC电驱动总成首台下线交付。
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海乾半导体：
SiC外延将进入汽车供应链
近期，海乾半导体宣布他们于今年1月顺利通过车规认证，认证范围为半导体SiC外延片的制造。
据悉，海乾半导体此次一共获得2项认证：IATF16949:2016汽车质量管理体系符合性认证、ISO9001:2015质量管理体系认证。其中IATF16949作为国际汽车行业通用标准，是企业进入汽车行业供应链的入场券，审核通过代表海乾将正式进入全球汽车行业供应链。
另一方面，通过ISO9001认证也意味着海乾半导体的产品质量及管理制度均获得国际专业机构的认可，未来有能力与汽车行业先进企业同步接轨，保证产品质量持续满足标准。
根据“行家说三代半”此前报道，海乾半导体继Pre-A轮的哇牛资本投资后，于2024年2月顺利完成A轮融资，由深创投与深圳红犇资本联合投资。海乾半导体表示，本轮融资将加速海乾SiC外延片的产能提升，为客户提供更优质的先进外延材料解决方案。
希科半导体：
SiC外延获标杆客户采购
3月21日，希科半导体透露他们的“SiC外延片的设计及制造”已顺利通过IATF16949汽车行业质量管理体系认证。
希科半导体表示，这一成绩标志着他们产品的质量水平和保障体系得到了行业权威机构的全面认可，为产品进入各大SiC晶圆生产商提供了有力的支持，未来有望应用于新能源汽车驱动、车载OBC等领域。
官网资料显示，希科半导体成立于2021年8月，主营产品为6/8英寸SBD级4H-SiC外延片、6/8英寸MOSFET级4H-SiC外延片，电压覆盖650V~3300V，用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等SiC电力电子器件。
值得关注的是，2023年5月，希科半导体宣布完成Pre-A轮融资，并透露近期已有数台SiC CVD炉到位并调试成功实现了高品质外延片的量产，已对十余个业内标杆客户完成送样并实现了采购订单。
注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。
