当今世界面临着环境问题和资源枯竭等各种社会课题，对于企业而言，面对这些课题采取何种举措也变得越来越重要。通过电子技术来解决这些社会课题是罗姆的使命，而“企业宣言”则更加清晰地体现了这一使命。罗姆将用自己的电子技术优势来解决各种社会课题，并面向未来，持之以恒地为人们丰富多彩的生活和社会的发展与进步提供支持。
作为实现无碳社会和进一步节能的关键元器件，功率半导体和模拟半导体发挥这举足轻重的作用，同时社会和客户对此类产品的期望也越来越高。据了解，“电机”和“电源”所消耗的电力占全球大部分的耗电量，提高它们的效率是罗姆为实现无碳社会所承担的重要使命。罗姆集开发、生产和销售于一体，在预见需求的同时，整合并不断提高功率电子和模拟技术，助力客户实现产品的“节能”和“小型化”，进而为解决社会课题做出贡献。
与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。
罗姆在SiC功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，这些器件和模块在许多行业的应用中都实现了更佳的节能效果。
第4代SiC MOSFET在改善短路耐受时间的前提下实现了业内超低导通电阻。另外，还具有低开关损耗和支持15V栅-源电压等特点，有助于设备进一步节能。
更多内容，点击前往
SiC（碳化硅）功率器件介绍页
罗姆半导体集团小程序
GaN（氮化镓）是一种化合物半导体材料，作为下一代功率器件用的材料被寄予厚望。与以往的Si器件相比，其开关性能和高频性能更加出色，因而在市场上的应用日益广泛。不仅如此，其导通电阻也低于Si器件，有望助力众多应用实现更低功耗和小型化。
ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”，并始终致力于进一步提高器件的性能。另外，ROHM不仅致力于元器件的开发，还与业内相关企业积极建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献力量。
* EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
1）2021年，罗姆确立了8V栅极-源极额定电压技术的150V GaN器件技术。
2）2022年，罗姆首次量产第一代EcoGaN™系列150V 耐压的 GaN HEMT。凭借其独特的结构，罗姆成功地将栅极-源极额定电压从普通GaN产品的6V提高到8V，提升了GaN器件电源电路的设计裕度和可靠性。
3）2023年4月，罗姆又量产了650V耐压GaN HEMT，至此同时提供了150V和650V GaN分立式器件。
此外，为了充分提高GaN HEMT的低损耗和高速开关性能，使器件应用更加稳定可靠，罗姆不仅注重提高GaN HEMT单体的性能，还不断改进驱动技术和控制技术，让GaN器件在各种应用中进一步普及。
更多内容，点击前往
GaN（氮化镓）功率器件介绍页
罗姆半导体集团小程序
咨询或购买产品
扫描二维码填写相关信息
将由工作人员与您联系
在各种应用产品中，通常使用二极管来实现反接保护和电路整流等电路保护。随着各种应用产品对更低功耗的要求，比其他二极管效率更高的SBD正越来越多地被采用。另一方面，如果为了追求效率而降低VF，则存在权衡关系的IR会升高，热失控的风险会随之增加，因此在设计电路的过程中，选择SBD时需要很好地权衡VF和IR。在这种背景下，ROHM加强了追求低VF和低IR特性之间平衡的SBD系列的产品阵容，以车载市场为中心创造了非常优异的业绩。
罗姆最新的SBD产品有5个系列，客户可以根据对VF和IR的不同重视程度，从丰富的产品阵容中选择合适的产品。另外，每个系列都有丰富的封装阵容，客户还可以根据应用产品的性能要求选择小型封装。下面将对每种产品的特点分别展开介绍。
该系列的VF最低，在主要用于正向电路中的损耗可大幅降低，非常适用于智能手机等使用电池低电压驱动的移动设备中的整流应用。
目标应用：笔记本电脑、移动设备等。
该系列为通用型产品，与相同尺寸的罗姆以往产品相比，VF特性降低约25%。在车载应用中，正向损耗非常少，因此作为要求更高效率的汽车信息娱乐系统和车载LED灯等的保护二极管，非常受欢迎。2021年8月，封装阵容中又新增了车载用超小型PMDE封装，可满足市场对更小封装的需求。
目标应用：车载信息娱乐系统、车载LED灯、车载ECU、笔记本电脑等。
该系列利用罗姆自有的势垒形成技术，在VF特性与IR特性之间取得了良好的平衡。与罗姆以往产品相比，其反向功率损耗降低了60%，因此可以降低热失控风险，非常适用于需要在高温环境下运行的引擎ECU整流应用、高输出功率LED前照灯的保护应用、以及大电流工业设备电源等应用。
目标应用：xEV、引擎ECU、高输出功率LED前照灯、工业设备电源等。
该系列产品具有超低IR，可以降低热失控风险，非常适用于需要在高温环境下运行的xEV电池和电机相关ECU、以及燃油车引擎ECU和变速箱ECU等的整流应用。该系列支持耐压高达200V，可以替换通常在这个耐压范围使用的整流二极管和快速恢复二极管，并可以大幅降低VF（与FRD相比，降低约11%），还有助于降低上述车载应用中的功耗。
目标应用：xEV电池管理系统、引擎ECU、工业设备逆变器等。
通过采用新技术和独特的沟槽MOS结构，该系列的VF值和IR值都低于以往传统的平面结构，在一般沟槽MOS结构中因构造恶化的TRR也得到了改善，达到了与平面结构传统产品相当的水平（业界较高级别）。因此不容易发生热失控，并且可以降低开关损耗，因此非常适合需要高速开关的应用，例如容易发热的汽车LED前照灯驱动电路和xEV的DC-DC转换器。
目标应用：汽车LED头灯、xEV DC-DC转换器、工业设备电源、照明等。
更多内容，点击前往
肖特基二极管（SBD）介绍页
罗姆半导体集团小程序
除此以外，罗姆还在多个应用领域不断地推出更低功耗、更高效率的产品与技术。在未来，罗姆将进一步扩充产品阵容，为应用的进一步小型化和低功耗做出贡献。
咨询或购买产品
扫描二维码填写相关信息
将由工作人员与您联系
点击阅读原文 了解更多信息
