【3月29日|深圳】免费！报名从速！GaN功率器件与集成探讨、忆阻器如何赋能AI应用？2个主题沙龙，探索新型半导体商业化进程

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    日程安排

沙龙一：GaN器件新工艺的研发和产业化合作探索主题沙龙活动

1.活动背景

电力电子、新能源电动汽车、5G/6G通讯、互联网和智能工业等领域的兴起，对功率器件的性能提出了越来越高的要求。目前，Si基器件已达高功率和高频应用的理论极限，无法满足电力电子系统的发展需求。

作为第三代半导体材料典型代表之一，氮化镓（GaN）材料具有大禁带宽度、高击穿电场、高迁移速度等优异性能，在高压大功率、高频领域的应用领域脱颖而出，被认为是制备高温、高频、大功率器件的首选材料之一，也是下一代信息存储及智能制造技术的核心，有望在有半导体照明、电力电子器件、激光器与探测器、太阳能电池、生物传感器等新兴领域，大展拳脚。

在商业化进程中，当前硅基半导体产业正面临投资回报率递减，而GaN器件凭借其优异性能，有望促进半导体行业新的增长。但是目前GaN材料与器件仍处于实验室研发阶段，GaN器件存在寄生效应和可靠性问题，限制了GaN器件性能优势的充分释放，GaN集成芯片已成为不可抗拒的发展趋势。同时GaN产品价格偏高也阻碍了其在消费性电子产品中大量使用。

基于GaN器件产业化存在的一些难题，在英美资源贸易（中国）有限公司的积极推动下，DT新材料联合南方科技大学举办“探索GaN器件新工艺研发和产业化合作”沙龙，深入探讨GaN器件的最新研发成果、工艺创新、产业化合作，以及面临的机遇和挑战。

2.活动信息

活动主题：GaN器件新工艺研发和产业化合作探索

活动时间：2024年3月29日 星期五 09:00-12:10

活动地点：广东·深圳 南方科技大学深港微电子学院 南山智园崇文园区3号楼5层520室（深圳市南山区留仙大道3370号）

活动规模：30人左右

3.参与群体

（一）从事氮化镓材料、器件的基础研究及新工艺的开发的专家学者；

（二）专注于功率器件、射频器件和LED等领域的企业技术开发人员和高层管理者；

（三）原材料供应商、设备制造商、封装测试服务商等应用链合作伙伴；

（四）行业媒体及投融资机构等。

沙龙二：2024忆阻器赋能AI系列沙龙活动——忆阻器商业化应用探索

1.活动背景

在现代科技飞速发展的背景下，人工智能技术正推动着全球信息技术革命的新浪潮。作为一种新兴的电子器件，忆阻器在类脑计算、人工智能、神经网络和非易失性存储等领域的应用随其所处领域的兴起得到迅猛发展。例如，忆阻器突触结构可以模拟脑内神经突触的工作方式；忆阻器阵列可以进行高精度并行计算；忆阻器存储方向的不断突破，也有望彻底解决算力焦虑问题……。不同于传统的电阻、电容、电感，忆阻器通过“记忆”电流或电压的历史变化来调整其电阻值的独特性质，吸引了学术界和工业界的广泛关注和研究投入，其商业化应用渐行渐近！忆阻器未来将如何赋能电子技术产业链，为其带来新增长点与新突破？其产业化落地究竟需要解决哪些问题？

在英美资源贸易（中国）有限公司的积极推动下，DT新材料联合南方科技大学举办“2024忆阻器赋能AI系列沙龙活动”，旨在汇聚各方智慧与经验，探索忆阻器商业化应用可能与挑战，共同推动该领域的技术突破和应用创新。

2.活动信息

活动主题：忆阻器商业化应用探索

活动时间：2024年3月29日 星期五 13:00-20:00

活动地点：广东·深圳 南方科技大学深港微电子学院 南山智园崇文园区3号楼5层520室（深圳市南山区留仙大道3370号）

活动规模：30人左右

3.参与群体

（一）从事忆阻器、非易失存储、逻辑运算、类脑神经形态计算、多功能耦合器件、人工智能等研究领域的专家学者；

（二）物联网、数据中心、消费电子、人工智能等领域的产业链上下游企业和终端用户；

（三）行业媒体及投融资机构等。

    免费报名

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