尹志尧：中微公司绝大部分刻蚀设备零部件已实现国产化！

芯通社 2024-03-20 21:24 1324浏览 0评论 0点赞

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3月19日，国产半导体设备大厂中微公司董事长、总经理尹志尧在2023年度业绩说明会上表示，中微公司绝大部分刻蚀设备的零部件已实现国产化，而且在很短的时间内，将全面实现自主可控的基础。

在当前相关半导体设备及零部件进口受限的国际形势下，相关进口零部件的替代已成为中微公司发展的重要议题。

在去年半年报业绩说明会上，尹志尧就曾表示，自去年10月美国加强出口管制、旨在切断中国制造厂与美国先进工具的联系后，中国客户加速采用中微的蚀刻设备。

受此影响，中微在电容耦合等离子体（CCP）刻蚀设备市场的市场份额预计将从2022年10月的24%至2023年6月已增至60%。至于电感耦合等离子体（ICP）设备市场，在曾经占据主导地位的美国泛林半导体的市场份额大幅下降后，中微公司的市场占地可能会从几乎为零上升到75%。

尹志尧当时就预计，在2023年底中微公司80%的限制进口零部件可以在国内进行替代，随后将在2024年下半年实现100%的替代。

从时间进度来看，仅半年多时间，目前中微公司绝大部分刻蚀设备零部件已实现国产化，可谓是神速！需要指出的是，这个“口径”不仅包括了“限制进口零部件”，还包括了未受限制的进口零部件。这也意味着，中微刻蚀设备的国产化自主可控程度得到了大幅提升。

2023年净利润同比大涨52.67%

在3月18日晚间，中微公司发布2023年年度报告称，2023年实现营业收入为62.64亿元，同比增长32.15%。需要指出的是，公司从 2012 年到 2023 年超过十年的平均年营业收入增长率已超过 35%。公司实现归属于上市公司股东的净利润17.86亿元，同比增长52.67%。

对于业绩的增长，中微公司表示，2023年收入增长和毛利维持较高水平，公司扣非后归母净利润较上年同期增加约2.72亿元。此外，非经常性损益约5.94亿元，较上年2.50亿元增加约3.44亿元。非经常性损益的变动主要系公司于2023年出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约4.06亿元。

从营收结构来看，中微公司2023年刻蚀设备销售约47.03亿元，同比增长约49.43%；MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积）设备销售约4.62亿元，同比下降约33.95%。

订单方面，中微公司 2023 年新增订单金额约 83.6 亿元，较 2022 年新增订单的63.2 亿元增加约 20.4 亿元，同比增长约 32.3%。其中刻蚀设备新增订单约 69.5 亿元，同比增长约 60.1%；由于中微的 MOCVD 设备已经在蓝绿光 LED 生产线上占据绝对领先的市占率，受终端市场波动影响，2023 年订单同比下降约 72.2%。

半导体行业的未来，制造设备是关键

中微公司认为，“半导体行业的未来，制造设备是关键”，没有能加工微米和纳米尺度的光刻机、等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随着微观器件越做越小，结构越做越复杂，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。

晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积、光刻设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据Gartner历年统计，全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%。

随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构3D化，晶圆制造向5纳米以及更先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限制，14 纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来实现，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备越来越成为关键核心的设备。

在MOCVD设备方面，中微公司称，三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的LED、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路需要较多品类设备多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且这个设备的大部分市场在中国。

近年来，中国LED芯片产业的快速发展曾带动了作为产业核心设备的MOCVD设备需求量的快速增长。公司的MOCVD设备已经在蓝绿光LED生产线上占据绝对领先的市占率，报告期内（2023年），受终端市场波动影响，公司的MOCVD设备销售额有所下滑。

此外，公司在新产品开发方面取得了显著成效，近两年新开发的LPCVD 设备和 ALD 设备，目前已有四款设备产品进入市场，其中三款设备已获得客户认证，并开始得到重复性订单；公司新开发的硅和锗硅外延 EPI 设备、晶圆边缘 Bevel 刻蚀设备等多个新产品，也会在近期投入市场验证。公司开发的包括碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、Micro-LED等器件所需的多类 MOCVD 设备也取得了良好进展，2024 年将会陆续进入市场。

生产布局方面，公司在南昌约 14 万平方米的生产和研发基地已正式投入使用、上海临港的约 18 万平方米的生产和研发基地部分生产厂房已经投入使用，支持了公司销售快速增长的达成。公司持续开发关键零部件供应商，推动供应链稳定、安全，设备交付率保持在较高水准，设备的及时交付也为公司销售增长提供有力支撑。

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