芝能智芯出品JEDEC（标准组织）正式发布了GDDR7 DRAM的规范，这是专为显卡和其他GPU驱动设备设计的最新一代内存。
GDDR7通过从两级非归零（NRZ）编码转向三级脉冲幅度调制（PAM3）信号传输，引入了增加内存容量和带宽的组合。GDDR7标准的显著变化包括更高的数据传输速率，每个DRAM芯片通道数量的增加，新接口训练模式的添加，以及引入片上纠错码（ECC）以确保内存可靠性。转向PAM3编码使GDDR7能够在两个周期内传输三位数据。
JEDEC电子设备工程师协会在三月初发布了GDDR7 DRAM的官方规范，为显卡和其他GPU驱动设备提供了最新的内存标准。这一新一代的GDDR（图形双数据率）内存带来了内存容量和内存带宽的增益，主要通过内存总线上的PAM3信号驱动实现。
此外，新的图形RAM标准还增加了每个DRAM芯片的通道数量，引入了片上ECC（错误纠正码），以提高内存的可靠性。
GDDR7已经在过去几年中进行了开发，约一年前，JEDEC成员首次披露了这项内存技术。根据发布的规范，GDDR7的最大技术变化在于内存总线上的信号编码从两位不归零（NRZ）转变为三位脉冲幅度调制（PAM3）编码。
这种变化使得GDDR7能够在两个周期内传输3位数据，相比之下，以相同时钟速度运行的GDDR6在相同时间内只能传输两位数据，提高了50%的数据传输效率。
GDDR7的第一代预计将以每个引脚32 Gbps左右的数据速率运行，但标准本身为更高的数据速率（最高48 Gbps/pin）留有余地。JEDEC表示，GDDR7内存芯片的速率每台设备最高可达192 GB/s。此外，规范还将单个32位GDDR内存芯片细分为更多数量的通道，从而有效地增加了DRAM单元每个周期预取的数据量。
一个显著的变化是在内存芯片的通道数量上，GDDR7将通道数从GDDR6的两个16位通道扩展到四个8位通道。这一变化对于最终用户来说影响较小，但对芯片内部的工作方式产生了重大影响。JEDEC将每通道的预取保持在256位，使GDDR7成为32n预取设计。
GDDR7标准增加了对64Gbit DRAM设备的支持，是GDDR6/GDDR6X最大容量32Gbit的两倍。规范还引入了片上ECC功能，用于提高内存的可靠性，可以纠正100%的1位错误，并检测100%的2位错误。此外，规范还包括对内存错误的信息提供以及对PAM3操作的支持。
三星电子和SK海力士计划在今年上半年量产下一代显卡用内存GDDR7 DRAM，这是用于图形处理单元（GPU）的最新一代高性能内存。
GDDR7 DRAM将在美国加利福尼亚州的IEEE国际固态电路会议上亮相，其中三星的16Gb、37Gbps GDDR7 DRAM被宣称是世界上最快的，采用PAM3信号技术，相较于以往的NRZ方法，能够在相同信号周期内传输更多数据。
SK海力士也计划在同一次会议上展示其16Gb、35.4Gb/s GDDR7内存。这种高速内存预计将在Nvidia和AMD的下一代GPU中投入使用，并在今年年底前量产。GDDR7 DRAM的推出有望继续巩固韩国在半导体行业的领先地位。
小结：内存领域的竞争，在持续延续。
