GaN冰火两重天:出售倒闭VS扩产降本

原创 化合物半导体市场 2024-03-15 17:38
作为第三代半导体的翘楚,氮化镓早已是企业跑马圈地的重点赛道。而在近期,这一赛场风云不断,砥砺前行者有之,中途撤场者亦有之。


出售/倒闭事件增多

3月13日,美国垂直GaN器件厂商Odyssey官宣出售公司资产。据悉,Odyssey已与客户签署最终协议,将以952万美元(约合人民币0.67亿)现金,将其大部分资产出售给一家大型半导体公司,目前买家信息处于保密状态。

source:Odyssey

该事项预计将于2024年7月1日左右完成,而Odyssey的事务最早可能在2024年年底结束。
业绩方面,Odyssey在2023年实现营收29.19万美元,净利润则亏损447万美元。
值得注意的是,2024年开年至今,除了Odyssey外,还有多家氮化镓企业传来消极消息。
据外媒1月4日消息,NexGen Power Systems已在2023年圣诞节前夕倒闭,而其旗下总投资超过1亿美元的晶圆厂也已关闭。据报道,NexGen倒闭的原因是难以获得风险融资,企业运营举步维艰。
但在2023年初,NexGen刚开始交付用于高功率应用的全球首批700V和1200V垂直GaN器件的工程样品,彼时,其还宣布该产品于2023年第三季度开始全面生产;2023年6月,NexGen又宣布与GM通用汽车的合作项目获得美国能源部的资助,所获资金计划用于垂直氮化镓半导体的电动驱动系统。
3月1日,外媒报道,新加坡射频GaN芯片供应商Gallium Semiconductor宣布倒闭,并解雇所有员工。
这一决定是由GaasLabs LLC作出的。据悉,GaasLabs是Gallium的投资公司,对于这一决定的原因,GaasLabs提供的官方原因是:“我们的创始人John Ocampo已经去世。GaasLabs决定不再继续资助Gallium。我们将关闭公司,所有员工都将被解散。”据悉,John Ocampo于2023年11月去世。    


降本、扩产进行时

一边是出售资产乃至破产,另一边又有多家相关企业传来好消息。
技术方面,德州仪器(TI)正在将其GaN-on-Si的生产工艺从6英寸向8英寸过渡;大阪大学、丰田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN衬底开发项目,则在近期成功制备高质量6英寸GaN衬底;住友化学已经成功建立4英寸氮化镓衬底的量产技术,并计划在2024年后开始提供6英寸GaN样品。
而在中国,北京大学团队研发了增强型p型栅氮化镓(GaN)晶体管,并首次在高达4500V工作电压下实现低动态电阻工作能力;光州科学技术院电气工程与计算机科学学院Dong-Seon Lee教授的研究团队,则开发出仅采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的氮化镓半导体远程同质外延技术。
产能方面,晶湛半导体氮化镓(GaN)外延片生产扩建项目于1月份竣工,项目预计年产6英寸GaN外延片12万片,8英寸GaN外延片12万片;立国芯微电子项目已成功规模量产,该项目计划组建中高端芯片封装测试生产线16条,可年产高阶芯片225亿颗;天睿半导体8英寸碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)晶圆厂于今年2月签约落户福州……
此外,英诺赛科计划赴港上市的消息也引来业界极大的关注。据悉,英诺赛科计划募资3亿美元,以扩大氮化镓芯片产能。英诺赛科还在2023年11月正式启用其全球研发中心。据悉,研发中心将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地,同时开展大规模量产化工程问题研究,全面提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。


结语

有人辞官归故里,有人星夜赴考场”,这句话可谓当下氮化镓企业的发展状态的真实写照。
事实上,任何一项技术从实验室走向市场,都面临着极大的挑战,市场需求、规模化生产、工艺制程以及成本等都是企业发展道路上的障碍。而在未来,那些具有垂直整合能力、并能保障自身生产链条完整性的企业,相信会在竞争中具有更大优势。

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