国内GaN半导体大厂遭英飞凌起诉

德国芯片制造商英飞凌表示，已就英诺赛科（Innoscience）的半导体技术向美国法院提起专利诉讼。

英飞凌表示，正在寻求针对一项与氮化镓（GaN）技术相关的美国专利侵权的禁令救济，该技术对其GaN功率半导体至关重要。GaN是一种宽带隙半导体，具有卓越的开关性能，可实现更小尺寸、更高效率和更低成本的电源系统。

英飞凌3月14日通过其子公司英飞凌科技奥地利股份公司对英诺赛科（珠海）科技有限公司和英诺赛科美国及其附属公司提起诉讼。英飞凌正在寻求永久禁令，以防止侵犯其拥有的与GaN技术相关的美国专利。该专利权利要求涵盖GaN功率半导体的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有GaN器件可靠性和性能的创新。该诉讼已向加利福尼亚州中区地方法院提起。

英飞凌指控英诺赛科制造、使用、销售、许诺销售和/或进口到美国的各种产品，包括用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子等众多应用的GaN晶体管，从而侵犯了上述英飞凌专利。汽车、工业和商业应用中使用的电子产品和相关产品。

英飞凌电源与传感器系统部门总裁Adam White表示：“GaN功率晶体管的生产需要全新的半导体设计和工艺。凭借近二十年的GaN经验，英飞凌可以保证相应终端产品实现最高性能所需的卓越品质。我们大力保护知识产权，从而为所有客户和最终用户的利益行事。”数十年来，英飞凌一直投资于与GaN技术相关的研发、产品开发和制造专业知识。英飞凌将继续捍卫其知识产权并保护其投资。

2023年10月24日，英飞凌宣布完成对GaN Systems的收购，成为领先的GaN厂商，并进一步扩大其在功率半导体领域的领先地位。英飞凌凭借其GaN专利组合（包括约350个专利族）引领行业。市场分析师预计，用于功率应用的GaN收入将以49%的复合年均增长率增长，到2028年将达到20亿美元。