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经工商管理部门核实的资料显示，武汉新芯集成电路制造有限公司的注册资本已由约57.82亿元人民币提升至约84.79亿元人民币。
本次增资扩股得到了包括武汉光谷半导体产业投资有限公司、中国银行、湖北集成电路产业投资基金、湖北科技创业投资集团有限公司、长江产业投资集团有限公司、海通创意资本以及中信证券投资等在内的30家知名投资机构的共同参与。
值得注意的是，武汉新芯集成电路制造有限公司此前为长江存储科技有限责任公司的全资子公司，而此次是其首次引入外部资本。
根据注册资本的规模来看，武汉新芯集成电路制造有限公司在完成本轮融资后，已成功跻身“独角兽”企业行列。
经过审慎分析和投资决策，创芯智和光谷半导体产业投资在武汉新芯的本轮融资中获得了最大的占股比例。
这两家机构均隶属于湖北科投集团，该集团是由东湖高新区管委会出资成立的国有控股集团，拥有雄厚的资本实力和广泛的产业资源。
目前，湖北科投集团的注册资本高达400亿元，合并口径总资产规模更是超过2700亿元。
其中，湖北科技创业投资集团有限公司是武汉东湖新技术开发区管理委员会的对外投资平台，而长江产业投资集团有限公司则是省级战略性新兴产业的投资运营主体。
另外，本轮融资中还包括了湖北集成电路产业投资基金的出资。该基金于2015年成立，规模不低于300亿元人民币，旨在推动湖北省集成电路产业的跨越式发展和资本运作。
武汉新芯，作为长江存储的重要控股子公司，持有高达68.2%的股份。
此次，武汉新芯对外发布招标信息，不仅显示了长江存储或其他潜在客户的DRAM产品制造能力，而且极大地提振了国内产业化的信心。
根据官方资料显示，武汉新芯集成电路制造有限公司具备生产40nm及以上工艺制程的12英寸NOR Flash、CIS和Logic晶圆的能力，并为客户提供相关的代工和技术服务。
武汉新芯，这家成立于2006年的集成电路制造企业，专注于NOR Flash存储芯片的生产，并掌握了中部地区首条12英寸集成电路生产线项目。
新芯曾是长江存储的全资子公司，长江存储则是中国首家存储器晶圆厂及国内3D-NAND存储芯片的领军企业。
至2017年底，武汉新芯的NOR Flash晶圆出货量累计超过75万片，其产品覆盖了从消费类到工业级，乃至汽车级规范的全系列NOR Flash市场，并在当年实现了扭亏为盈的重要转折。
2020年，武汉新芯宣布，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已全面进入量产阶段。
值得一提的是，在全球NOR Flash存储芯片领域，通用技术仍为65纳米，而武汉新芯所实现的新一代50纳米技术已十分接近该类芯片的物理极限。
此次50纳米NOR闪存的重大技术突破，无疑将使武汉新芯在性能和成本上进一步提升市场竞争力。
此外，该公司已启动《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》的招标项目，旨在利用三维集成多晶圆堆叠技术，研发出具有更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器（HBM）产品。
为此，公司计划新增16台套设备，并预计实现月产出能力超过3000片（12英寸）。
针对快速发展的物联网和5G市场，该公司将持续研发并推广自有品牌的闪存产品，进一步扩展产品线，以满足不断变化的市场需求。
这些项目分别是：针对高带宽存储器的多晶圆三维集成技术研发及其产业化、C2W混合键合技术的研发与产线建设，以及高容值密度深沟槽电容制造工艺技术的研发。
关于高带宽存储器的多晶圆三维集成技术项目，其核心在于研发三维集成多晶圆堆叠技术，并构建相应的生产线。
预计新增生产设备约16台/套，目标月产能达到12英寸晶圆3000片以上。
C2W混合键合技术项目则致力于开发基于三维集成芯粒与晶圆混合键合（C2W）的工艺平台。
该技术能将分别制造的芯粒和晶圆进行三维高密度互连，从而增强集成芯片的性能和良率。
预计新增研发和生产设备约27台/套，目标月产能为12英寸晶圆3000片。
至于高容值密度深沟槽电容制造工艺技术项目，其重点是通过深沟槽光刻、刻蚀、高介电常数介质沉积和多层重布线等工艺技术，研发出具有更高电容密度、更低漏电流、更高击穿电压以及在不同频率和电压下表现更稳定的深沟槽电容产品。
预计新增研发和生产设备约14台/套，并形成每月生产1000片12英寸晶圆的能力。
随着Hybrid Bonding技术的广泛应用，有望进一步推动先进封装设备制造企业的需求增长。
这表明，集成电路产业正逐渐成为武汉市的重点发展产业之一。
此外，这些新项目的计划实施，将有助于推动我国在相关领域的技术进步和产业发展。
部分资料参考：创投日报：《武汉投出芯片独角兽》，投资界：《刚刚，武汉最牛融资诞生了》
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