探究磁控溅射镀膜工艺决定品质的关键参数

DT半导体材料 2024-03-08 18:00

磁控溅射镀膜工艺中,众多参数都至关重要。而今天,我们将聚焦其中几个核心参数,它们如同魔法般影响着最终的镀膜质量。掌握这些参数,意味着您将轻松驾驭磁控溅射技术,为您的产品带来卓越的表面处理效果。让我们深入了解这些关键参数,探索如何通过科学控制,提升镀膜品质,让您的工艺达到新的高度!


溅射阈值


溅射阈值是将靶材原子溅射出来所需的入射离子的最小能量值。入射离子的种类对其影响较小,而靶材却息息相关。能离子量超过溅射阈值后,在150ev以前,溅射产额和离子能量的平方成正比;在150ev~1kev之间,溅射产额和离子能量成正比;在1kev~10kev范围内,溅射产额无显著变化;而能量再增加,溅射产额呈现下降的趋势。


溅射产额


溅射产额是入射离子轰击靶材时,平均每个正离子能从靶材打出的原子数。这一数值主要受到靶材的原子序数、入射离子的种类、离子入射角度以及靶材的温度的影响。


1、溅射产额随靶材原子序数的变化呈现出一种有趣的周期性模式。具体来说,随着靶材原子壳层电子填满程度的增加,溅射产额也会相应变大。


2、入射离子种类对溅射产额的影响,溅射产额随入射原子序数增加而周期性增加。


3、离子入射角度对溅射产额的影响也十分显著。在相同的靶材和入射离子条件下,溅射产额会随着离子入射角的增大而增加。当角度增大到70°~80°时,溅射产额达到最大值;继续增大入射角,溅射产额会急剧减小;当角度达到90°时,溅射产额为零。


4、靶材的温度对溅射产额的影响也不容忽视。通常在某一温度范围内,溅射产额与升华能密切相关,溅射产额几乎不受温度变化的影响。但当温度超过这一范围时,溅射产额会有急剧增加的倾向。


综上所述,对于磁控溅射真空镀膜设备来说,每一个参数都至关重要。为了满足客户需求和市场要求,我们必须严格控制并达标每一个参数,从而完成高质量的镀膜工艺和业务。


膜厚均匀性


磁控溅射真空镀膜机在镀制薄膜时,均匀性是一个至关重要的考量因素。为了提升磁控溅射的均匀镀膜效果,我们深入研究了影响其均匀性的各种要素。


磁控溅射技术的核心原理在于,通过正交电磁场中的闭合磁场,将电子束缚在靶面周围进行螺旋运动。这些高速运动的电子与工作气体氩气发生碰撞,使其电离出大量氩离子。随后,在电场的作用下,这些氩离子加速轰击靶材,将靶原子、离子(或分子)溅射出来,最终沉积在基片上形成薄膜。


为了实现均匀的镀膜效果,必须确保靶原子、离子(或分子)的溅射过程也是均匀的。这就要求轰击靶材的氩离子能够均匀分布。鉴于氩离子是在电场作用下进行加速轰击的,因此电场的均匀性至关重要。而氩离子的产生又依赖于闭合磁场束缚的电子与氩气的碰撞过程,所以磁场的均匀性和氩气的分布均匀性同样不可或缺。


然而,在实际的磁控溅射装置中,这些因素的绝对均匀性很难完全实现。因此,研究这些不均匀因素对成膜均匀性的影响显得尤为重要。实际上,磁场的均匀性和工作气体的均匀性是决定成膜均匀性的最主要因素。具体来说,磁场强度较大的区域膜厚较大,反之则膜薄;同时,磁场方向也会对均匀性产生重要影响。此外,在一定气压条件下,气压大的区域膜厚较大,气压小的区域则膜薄。


综上所述,通过对磁场、电场、工作气体以及气压等关键因素的精准控制与研究,我们可以更有效地实现磁控溅射的均匀镀膜目标。



靶材镀膜沉积速率

在磁控溅射过程中,影响靶材镀膜沉积速率的因素众多,但今天我们将重点关注三个核心要素:溅射电压、溅射电流和溅射功率。

1.溅射电压在成膜速率中起着重要作用。电压的升高会加快溅射速率,这种影响在溅射沉积所需的能量范围内是渐进且稳定的。高电压意味着入射离子具有更高的能量,从而更容易从固体靶材中溅射出原子并沉积在基板上形成薄膜。

2.溅射电流同样对溅射速率产生显著影响。磁控靶的溅射电流与靶材表面的离子电流成正比。在最佳气压下,沉积速度达到最快,这是磁控溅射的一个普遍规律。通过调整工作电压或工作气体压力,我们可以有效地改变溅射电流,从而优化溅射过程。

3.溅射功率对沉积速率的影响与溅射电压类似。提高磁控靶材的溅射功率通常可以增加成膜率。然而,这并非绝对,因为在低溅射电压(例如200伏左右)和高溅射电流的情况下,尽管平均溅射功率不低,但离子可能无法被有效溅射和沉积。因此,确保施加在磁控靶材上的溅射电压足够高,使工作气体离子在电场中的能量超过靶材的“溅射能量阈值”,是实现有效溅射和沉积的关键。

综上所述,溅射电压、溅射电流和溅射功率是影响磁控溅射靶材镀膜沉积速率的重要因素。通过合理调整这些参数,我们可以优化溅射过程,提高成膜效率和质量。

来源 众能光电


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