PowerPAIR® 3 x 3FS 封装 80 V 对称双通道 N 沟道功率 MOSFET

PowerPAIR^® 3 x 3FS 封装 80 V 对称双通道 MOSFET

• R_DS(ON) 达到业内先进水平，提高功率密度、能效和热性能

• 节省空间型器件所需 PCB 空间，比 PowerPAIR 1212 封装分立器件减少 50 %

• 有助于减少元器件数量并简化设计

日前，Vishay 推出新型 80 V 对称双通道 N 沟道功率 MOSFET，将高边和低边 TrenchFET^® Gen IV MOSFET 组合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR^® 3 x 3FS 单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT 适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。

日前发布的双通道 MOSFET 可用来取代两个 PowerPAK 1212 封装分立器件，节省 50 % 基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点 （POL）转换器、DC / DC 转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT 高低边 MOSFET 提供 50 % 占空比优化组合，同时 4.5 V 下逻辑电平导通简化电路驱动。

为提高功率密度，该 MOSFET 在 4.5 V 条件下导通电阻典型值降至 18.5 mΩ，达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低 16 %。SiZF4800LDT 低导通电阻与栅极电荷乘积，即 MOSFET 功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131 mΩ*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。

器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品 MOSFET 低 54 %。SiZF4800LDT 导通电阻和热阻低，连续漏电流达 36 A，比接近的竞品器件高 38 %。MOSFET 独特的引脚配置有助于简化 PCB 布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT 经过 100 % Rg 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准，无卤素。