EPC宣布推出首款具有1mΩ导通电阻的GaNFET

2月27日，EPC推出采用紧凑型3 mm x 5 mm QFN封装的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，为DC-DC转换、快速充电、电机驱动和太阳能MPPT提供更高的功率密度。

EPC称，这是市场上导通电阻最低的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，功率密度提高了一倍。

EPC2361具有典型的RDS（开）仅为1mΩ，采用耐热增强型QFN封装，顶部裸露，尺寸小巧，为3 mm x 5 mm。最大RDS（开）x EPC2361面积为15 mΩ*mm2–比同类100 V Si MOSFET小5倍以上。

凭借其超低导通电阻，该器件可在功率转换系统中实现更高的功率密度和效率，从而降低能耗和散热。这一突破对于大功率PSU AC-DC同步整流、数据中心的高频DC-DC转换、电动汽车的电机驱动、机器人、无人机和太阳能MPPT等应用尤为重要。

EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“我们新的1 mΩ GaN FET持续突破GaN技术的极限，使我们的客户能够创建更高效、更紧凑、更可靠的电力电子系统。”

集邦化合物半导体整理

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