采用源极倒装技术 PowerPAK® 1212-F 封装 30 V N 沟道 MOSFET

PowerPAK^® 1212-F 封装 30 V N 沟道 MOSFET

• R_DS(ON) 低至 0.71 mΩ

• 器件采用中央栅极结构 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK^® 1212‑F 封装

• 提高系统功率密度，改进热性能

Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET^® 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN 采用源极倒装技术 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK^® 1212-F 封装，10 V 栅极电压条件下导通电阻仅为 0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中 MOSFET 关键的优值系数（ FOM ）为 42 mΩ*nC，达到业内先进水平。

日前发布的器件占位面积与 PowerPAK 1212-8S 封装相同，导通电阻降低 18 %，提高了功率密度，同时源极倒装技术将热阻从 63 °C/W 降至 56 °C/W。此外，SiSD5300DN 优值系数比上代器件低 35 %，从而降低了导通和开关损耗，节省功率转换应用的能源。

PowerPAK1212-F 源极倒装技术颠倒通常接地焊盘和源极焊盘的位置，扩大接地焊盘面积，提供更有效的散热路径，有助于降低工作温度。同时，PowerPAK 1212-F 减小了开关区范围，有助于降低迹线噪声的影响。另外，PowerPAK 1212-F 封装源极焊盘尺寸增加了 10 倍，从 0.36 mm² 提高到 4.13 mm²，从而改进热性能。PowerPAK1212-F 中央栅极结构还简化了单层 PCB 基板多器件并联的使用。

采用源极倒装 PowerPAK1212-F 封装的 SiSD5300DN 特别适合二次整流、有源箝位电池管理系统（ BMS ）、降压和 BLDC 转换器、OR-ing FET、电机驱动器和负载开关等应用。典型终端产品包括焊接设备和电动工具、服务器、边缘设备、超级计算机、平板电脑、割草机和扫地机以及无线电基站。

SiSD5300DN 现可提供样品并已实现量产，供货周期为 26 周。

Vishay 采用源极倒装技术 PowerPAK^® 1212-F 封装

30 V N 沟道 MOSFET，R_DS(ON) 低至 0.71 mΩ