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主要内容
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分立器件搭建MOS管开关补充
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正文
一、
前篇内容补充-功率PMOS管选型
基本参数
功率PMOS选型需要考虑到以下参数：VIN、门限电压VGS(th)、VGS(max)。
首先VIN与VGS(max)，当VOUT导通时，Q1导通，此时VGS≈0-VIN≈-VIN，因此选型时MOS的VGS(max)要小于VIN，且留有一定的余地。
此外VGS(th)是PMOS的开通门限电压，想要正常开通PMOS，这个电压要小于VIN，且有一定余量。
选型时后级负载电流大小也是需要考虑的参数，因此PMOS的电流ID一定要大于后级负载电流，但是也不仅仅这样就可以了，以下图为例，此型号PMOS的持续ID电流是0.76A，那么他可以给0.76A的后级负载做开关吗？
我们再来看下面一个参数，RDS(on)，即导通电阻，假设VGS=-1.8V，可以看出，在此条件下，即使负载电流ID仅为150mA，RDS(on)最大都能达到1.0Ω，0.76A负载下只会更大，此条件下VIN与VOUT间的压降至少为为0.76*1=0.76V，这个很多时候是不可接受的。此外在这个条件下耗散功率至少为0.76A*0.76A*1Ω=0.5776W。
再结合下面的参数：RθJA，即结到外部环境的热阻，即使选择热阻较小的SC-89封装，其温升也达到了：400℃/W*0.5776W=231℃，再加上空气温度25℃，此时MOS管内核温度达到了惊人的256℃，就炸了！！！
上述描述的内容是热设计相关内容：具体点击阅读：IC与器件的热设计（其他平台请转至威信工众号阅读）
总结
无论哪个参数选型时都不要太极限，如果仅仅卡在最低限度，那很可能在特殊条件下损坏MOS管，因此各个参数尤其是VGS(th)与ID都留有一定的余地，并且功率器件一定要考虑到热设计。
二、
集成功率开关IC
圣邦微的SGM25006
以圣邦微的SGM25006为例，如下图是典型应用，只需要接好输入输出即可通过EN引脚来控制输出开关。
另外此IC还集成了电流限制与过流报警以及过温报警功能，另外还有低电压关断功能UVLO。
另外集成型功率开关IC的导通电阻很小，只有几十毫欧，因此在热设计角度也能承受更大的电流。
如下图，即使在1.5A的负载电流下，压降仅约为60mV。
具体电流限制功能以及过流、过温报警功能见下二维码数据手册：
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