新品|为加速高压SiC电源模块的采用,Microchip发布3.3kVXIFM即插即用mSiC栅极驱动器

碳化硅芯观察 2024-02-20 21:36

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电动化正在推动碳化硅 (SiC) 技术在交通、电网和重型设备等中高压应用中的广泛采用汽车。为了帮助开发人员实施 SiC 解决方案并快速跟踪开发流程,Microchip Technology近日推出了采用专利 Augmented Switching™ 技术的 3.3 kV XIFM 即插即用 mSiC™ 栅极驱动器,该驱动器旨在解决以下问题:开箱即用,具有预配置的模块设置,可显着减少设计和评估时间。

XIFM 是一款智能隔离式即插即用 mSiC™ 栅极驱动器,旨在驱动 HV LinPak / HV100 等高压 (HV) 封装中的 3.3kV SiC 模块。该驱动器包括栅极驱动控制、电源、光纤接口和高压隔离 (10.2 kV)。

Microchip人员披露,该款驱动作用是在每个开关周期打开和关闭,引入一个中间步骤,并且该步骤是可配置的。电压和持续时间是可配置的,它允许调整设备的开关,以便控制 dV/dt 和 di/dt,帮助最大限度地减少过冲或振动。提供了更好的 EMI 性能和开关性能,效率更高。

为了加快上市时间,设计、测试和验证栅极驱动器电路设计的复杂开发工作已经通过此即插即用解决方案完成。XIFM 数字栅极驱动器是一款紧凑型解决方案,具有数字控制、集成电源和强大的光纤接口,可提高抗噪性。该栅极驱动器具有预先配置的“打开/关闭”栅极驱动配置文件,这些配置文件专为优化模块性能而定制。
它采用 10.2 kV 初级到次级增强隔离以及内置监控和保护功能,包括温度和直流母线监控、欠压锁定 (UVLO)、过压锁定 (OVLO)、短路/过流保护 (DESAT) 和负温度系数(NTC)。该栅极驱动器还符合铁路应用的关键规范 EN 50155。
Clayton 表示:“随着碳化硅市场不断增长并突破更高电压的界限,Microchip 使电源系统开发人员能够更轻松地采用宽带隙技术以及交钥匙解决方案,例如我们的 3.3 kV 即插即用 mSiC 栅极驱动器。” Microchip 碳化硅业务部副总裁Pillion表示,“通过预先配置栅极驱动电路,与传统的模拟解决方案相比,该解决方案可以将设计周期时间缩短高达 50%。”
Microchip 在 SiC 器件和电源解决方案的开发、设计、制造和支持方面拥有 20 多年的经验,可帮助客户轻松、快速、自信地采用 SiC。

应用领域

它具有 Augmented Switching™ 功能,可监控故障报告并改进对基于 SiC MOSFET 的电源系统的控制。 可应用在以下领域:

  • 铁路牵引(辅助和推进系统)

  • 电池充电系统

  • 智能电网/并网配电发电 

  • 不间断电源 (UPS) 系统

  • 工业电机驱动器

  • 重型设备

  • 中压充电器/快速充电器


*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,碳化硅芯观察转载仅为了传达观点,仅代表碳化硅芯观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系碳化硅芯观察。

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