1.8nm芯片，来了！英特尔反超台积电？

自从帕特·基辛格就任英特尔CEO以来，重整晶圆代工业务，就成为其主要的目标。英特尔2021年7月公布了“四年五个制程节点”计划，也就是使用四年的时间，完成Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A五个制程节点，2025年重获领先性。

虽然在市场份额上远不如台积电和三星，但由于英特尔在晶圆制造领域的深厚积累，很快在先进制程上取得突破。

近日，中国台湾著名的芯片IP研发与销售公司智原宣布与Arm和英特尔合作，将共同开发64核SoC芯片，基于Intel18A制程（相当于1.8nm）；预计将在2025年上半年完成。

英特尔18A相当于1.8nm级别，被英特尔视为关键节点，一方面寄希望于通过18A工艺反超台积电，重夺晶圆代工的王座；另一方面也可以拓展对外代工业务规模。

据了解，自从英特尔宣布重振代工业务以来，Intel 3工艺已经拿下多笔订单，包括某云数据中心芯片，爱立信的某款服务器芯片以及美国国防部的一款芯片。而相较于其两大竞争对手：三星和台积电。

三星在先进制程工艺大发展上似乎遇到了大麻烦。据韩媒DealSite+报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。

相比而言，台积电先进制程工艺方面的进展就顺利多了。台积电代工的3nm芯片已于2023年率先在苹果手机上实现了。而2024年高通、联发科、英伟达、AMD也都在抢台积电3nm芯片的产能。

根据产业链最新爆料，苹果公司已率先预定台积电将于2025年量产的2nm芯片，采用的也是GAA工艺制造。消息人士进一步爆料，苹果还希望优先获得台积电更先进的1.4nm（A14）、1nm（A10）工艺初始产能。同时，根据台积电总裁魏哲家说法，台积电2nm技术的研发进展顺利，预计台积电将如期采用GAA（全栅极环绕）技术来生产2nm制程节点，位于新竹科学园区的宝山P1晶圆厂，最早将于2024年4月开始安装设备；P2工厂和高雄工厂将于2025年开始生产采用GAA技术的2nm制程芯片。

其实，早在2023年4月，Intel、Arm就联合宣布达成代工协议，使用Intel 18A制造Arm IP芯片。

因此，在2nm及其以下英特尔后来居上，先进制程芯片的代工业务格局正在重塑，已经逐步追上台积电，基本实现了对三星的反超。

据悉，Intel 20A工艺将首发PowerVia背部供电技术，也是英特尔首次采用GAA晶体管架构。英特尔CEO帕特·基辛格今年1月表示，不会在Intel 18A节点制程使用ASML的High-NA EUV光刻机，而是留到下一个更先进的节点制程上。

据业内人士消息，英特尔目前正在和客户验证超过50款芯片，其中75%基于Intel 18A工艺打造，看起来英特尔的工艺制程还是受到客户欢迎的，就不知道是由于代工费便宜，还是性能的确给力呢？