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加快投产！重庆三安半导体碳化硅衬底项目B1栋封顶

JMInsights集摩咨询 2024-02-05 20:08
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据媒体消息，日前重庆三安半导体碳化硅（SiC）衬底项目B1栋顺利封顶。其中，重庆三安半导体SiC衬底项目（生活服务设施区）总建筑面积为2.08万㎡，包括B1、B2栋、B3栋和B4栋等建筑。安意法半导体8英寸SiC外延、芯片项目（生活服务设施区）总建筑面积为3.7万㎡，包括A1栋、A2栋、A3栋、A4栋和C1栋等建筑。

在B1栋顺利封顶后，该项目B2、B4、C1三栋也将在年前陆续封顶，项目整体将在2024年7月前实现全部交付，合同工期仅为8个月。

图片来源：湖南六建华西公司

2023年6月，意法半导体官宣将与三安光电成立一家合资制造厂，进行8英寸SiC器件大规模量产。该合资厂全部建设总额预计约32亿美元（约230亿人民币），占地462亩，总建筑面积26.5万平方米，采取一次建设分期投产方式，规划达产年生产能力为8英寸SiC车规级MOSFET功率芯片48万片。项目在取得各项手续批复后开始建设，预计2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产。



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