安世半导体：SiC&GaN并驾齐驱，助推客户降本增效

行家说三代半：过去一年，贵公司的SiC&GaN业务取得了哪些进展？

王骏跃：2023年是安世半导体宽禁带半导体产品的丰收年！

目前，我们率先推出两款SiC器件：650V二极管以及1200V SiC MOSFET。此外，我们还推出了E-mode配置的GaN器件。这使我们成为目前唯一一家能够同时生产E-mode和Cascode级联型GaN器件的生产商。安世半导体凭借20多年来使用铜夹片技术的成功经验，推出了采用全新CCPAK封装的GaN器件，将铜夹片封装技术的所有公认优点应用于650 V及更高电压应用。

作为提供Cascode级联配置的E-mode GaN器件独家供应商，我们深感自豪，同时，这充分体现了我们在半导体尖端技术领域的持续承诺与投入。我们的SiC MOSFET拥有超低的RDson温度漂移，进一步巩固了安世半导体在提供高性能解决方案领域的领导地位。

行家说三代半：针对新能源汽车等新兴市场，贵公司的SiC&GaN技术、产品有哪些布局和优势？

王骏跃：我们专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的应用，并在汽车、工业、消费类电子产品和可再生能源等多个市场领域开展业务。我们认识到这些材料具有广泛的通用性，并且能够推动各行各业实现技术变革。

• 在汽车领域，作为汽车市场值得信赖的供应商，我们正在积极将自身的专业技术和知识应用到宽禁带半导体器件的研发中，不断探索适用于高功率电子设备和电动汽车组件的应用；

• 工业应用方面，我们将SiC和GaN器件应用于各种功率系统中，以提高效率；

  
  

• 在消费电子产品领域，我们专注于优化电源解决方案；

• 在清洁能源领域，我们将SiC和GaN应用于太阳能和风能逆变器中，提高整体效率并降低运营成本，在推动可再生能源发展方面发挥着至关重要的作用；

• 智能化方面，我们的技术应用在数据中心，有助于显著提高电源效率，最终降低运营成本。

行家说三代半：随着SiC&GaN市场需求的不断增长，贵公司采取了哪些措施来确保产品的稳定供应？

王骏跃：首先，我们与行业内的领军企业建立了牢固的合作关系。值得一提的是，我们与Kyocera AVX Salzburg在SiC模块方面的合作，以及与三菱在SiC MOSFET方面的合作，对SiC器件发展起到了重要的推动作用。这些合作不仅增强了我们的技术能力，还为我们提供了可靠的高质量材料，从而保证了产品的稳定持续供应以满足不断增长的市场需求。

其次，考虑到市场增长趋势，我们已投入大量资金来扩大我们的生产能力，包括建立配备先进技术的新生产线。这些投资旨在提高我们的整体生产能力，确保我们能够满足市场对SiC和GaN产品日益增长的需求。

此外，我们深知在技术创新方面保持领先的重要性。安世半导体不断地努力丰富和拓展产品组合，这充分体现了我们对创新的承诺。我们持续投入资源进行研发工作，致力于推出先进的解决方案，以在SiC和GaN市场保持领先地位。这不仅确保我们能够稳定提供优质产品，还有助于稳固我们在向客户提供先进解决方案方面的领先地位。

行家说三代半：目前，SiC&GaN器件似乎陷入“价格战”，贵公司将采取哪些差异化路线获得竞争优势？

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行家说三代半：展望2024年，SiC&GaN产业将迎来怎样的机遇和挑战？

王骏跃：2024年，SiC和GaN行业将迎来一系列重大机遇，智能互联、数字化、电气化、自动化、可持续发展和能源效率等大趋势，将推动SiC和GaN市场实现显著增长。

在电源、转换器和逆变器等高电压和大电流应用中，相较于硅基解决方案，SiC和GaN解决方案具有可持续性优势和成本利好。汽车行业，尤其是电动汽车领域，聚焦在更高的功率密度和集成式功率转换器中预计将率先采用SiC技术，然后GaN技术逐步普及。

为了保持商业竞争力，需要进一步降低宽禁带半导体的制造成本。实现高质量和大批量的SiC和GaN晶圆生产依然面临挑战，需要持续研发投入。除了技术和物流方面的挑战外，政府政策、监管框架和标准变化，所有这些都会对SiC和GaN技术在市场上的广泛应用产生重大影响。

行家说三代半：2024年，贵公司定下来了哪些规划和目标？

王骏跃：

我们的现阶段关注重点在于通过引入车规级产品来扩大SiC系列产品，从而满足汽车行业对坚固耐用的高性能解决方案日益增长的需求。

为了满足日益增长的电力供应和互联需求，我们始终聚焦为客户提供高效节能的解决方案和优质的服务，确保迅速适应行业发展趋势。