五分钟了解产业大事
每日头条新闻
Counterpoint：2024 年前两周华为重夺中国智能手机市场销量第一
2023年苹果手机销售额占全球智能手机市场比例过半，创历史新高
LG Display 展示下一代 MLA-OLED 面板，峰值亮度近 4000 尼特
减轻对英伟达 GPU 依赖，Meta 今年将部署自研 AI 推理芯片 Artemis
高通骁龙 SM8635 芯片曝光：台积电 4nm 工艺，2.9GHz± X4 核心
1c 纳米世代内存竞争：三星计划增加 EUV 使用，美光将引入钼、钌材料
网传苹果2027年推折叠屏手机,配备7-8 英寸的屏幕，展开后和体积与iPad mini接近
江波龙称两款SSD主控芯片已完成流片验证并投产
TrendForce：动力电芯1月均价跌幅4%至7%，2月恐续跌
苹果Vision Pro 虹膜身份验证系统Optic ID：陌生人解锁概率不到百万分之一
微软下一代Xbox主机或晚于PS6发布，大概率继续采用AMD芯片
SK 海力士：计划在 2026 年前量产 HBM4 内存
2023年中国消费级智能平板市场出货量为2818万台，同比增长1.8%
良率0%？消息称三星3nm GAA工艺试产失败
1
【Counterpoint：2024 年前两周华为重夺中国智能手机市场销量第一】
据 Counterpoint 中国智能手机周销量模型追踪的最新数据，华为在 2024 年前两周以智能手机销量第一的位置回归中国市场。自 2019 年美国制裁实施以来，华为的销售份额一直在下降，此次登顶标志着其首次重获冠军宝座。
报告称，搭载其自主研发的麒麟 9000S 芯片的 Mate 60 系列是华为近期成功的关键驱动因素。此外，其强大的品牌忠诚度以及 HarmonyOS 操作系统的成功推出也为其助力。
2
【2023年苹果手机销售额占全球智能手机市场比例过半，创历史新高】
市场调研机构 Counterpoint Research 发表报告称，2023 年全球智能手机市场收入下降 2% 至略低于 4100 亿美元，出货量下降 4% 至 11.7 亿部，这是由全球智能手机平均售价增长 2% 并首次达到 350 美元导致的。
受平均销售价格增长的推动，苹果 2023 年 iPhone 收入达到创纪录的 2030 亿美元。苹果以 50% 的收入份额领跑市场，这是其全年历史最高的份额。
该机构称，2023 年每四部智能手机中就有一部批发价超过 600 美元。因此，虽然非高端市场经历了两位数的下降，但高端智能手机出货量却增长了 8%，这得益于折叠屏、生成式等新兴技术以及苹果的推动。
Counterpoint Research 的研究总监 Jeff Fieldhack 在评论苹果 2023 年表现时表示，苹果首次在全年内取代三星成为出货量最大的厂商。美国是苹果增长最大的市场，印度、加勒比地区和拉丁美洲 (CALA) 以及中东和非洲 (MEA) 等新兴市场也实现了两位数的增长，为其增长作出了巨大贡献。
3
【1c 纳米世代内存竞争：三星计划增加 EUV 使用，美光将引入钼、钌材料】
根据韩媒 The Elec 的报道，DRAM 内存巨头三星和美光均将在下一个内存世代，也就是 1c nm 工艺引入更多新技术。（注：1c nm 世代即第六个 10+ nm 世代，美光也称之为 1γ nm 工艺。目前最先进的内存为 1b nm 世代，三星称其 1b nm 为 12nm 级工艺。）
分析机构 TechInsights 高级副总裁 Choi Jeong-dong 在近日的一场研讨会上表示，美光将在 1c nm 节点率先引入钼（Mo，读音 mù）和钌（Ru，读音 liǎo）。这两种金属将作为布线材料，被用于内存的字线和位线中。Choi Jeong-dong 认为，三星和 SK 海力士将稍晚一至两个世代引入这两种金属。
而在三星这边，其将进一步扩大 EUV 工艺的应用。三星是三大存储原厂中首先引入 EUV 的企业，已将其应用至字线和位线等层中，预计在 1c nm 中 EUV 应用将扩展至 8-9 层。对于美光，其也将在 1γ nm 节点首次导入 EUV 光刻。
展望未来 10nm 以下制程，Choi Jeong-dong 表示三大厂商均在研究 3D DRAM 和 4F2 DRAM 等路线以实现进一步微缩，Neo Semiconductor 提出的 X-DRAM 以及不采用电容器的 1T DRAM 等也是可能方向。
4
【TrendForce：动力电芯1月均价跌幅4%至7%，2月恐续跌】
据TrendForce研究显示，1月全球锂电池市场仍低迷，电池厂商库存仍待去化，生产稼动率处低档徘徊，各类动力电芯产品均价（以下均以人民币计）跌势未止。其中，跌幅最大的为车用软包三元动力电芯，月跌幅7.3%，至0.51元/Wh，预计2月均价仍将下行。
储能电芯方面，农历新年在即，市场需求无明显波动，储能电芯行业生产稼动率虽不及动力电芯，但储能电芯价格保持相对稳定，月跌幅2.2%，至0.44元/Wh。
消费电芯方面，1月终端需求疲弱，同时钴酸锂原料价格持续走跌，正极材料价格月跌约7.4%，连带影响1月钴酸锂电芯成本继续小幅下滑，电芯均价月跌5.9%，至5.43 元/Ah。目前上游原料价格止跌持稳，临近农历新年假期，由于上游材料企业出现小规模的刚需补库，近期锂原料价格止跌后已出现小幅回涨，钴原料价格总体趋于平稳，但在下游需求尚未全面恢复的情况下，原料价格持续反弹的动能尚显不足，故预期2月整体消费电芯价格走势持平。
5
【SK 海力士：计划在 2026 年前量产 HBM4 内存】
根据 Business Korea 报道，SK 海力士公司副总裁 Chun-hwan Kim 在 SEMICON Korea 2024 大会上表示，他们正计划于 2026 年之前实现 HBM4 的量产，以满足生成式人工智能快速发展带来的巨大需求。生成式人工智能市场预计将以每年 35% 的速度增长，这将推动处理器性能的提升，进而对内存带宽提出更高的要求。
目前单颗 HBM3E 内存堆栈能够提供高达 1.2TB / s 的理论峰值带宽，如果一个内存子系统包含 6 个堆栈，总带宽则可达到惊人的 7.2 TB / s。然而，理论值与实际应用之间存在差距。例如，英伟达的 H200 显卡虽然搭载了 HBM3E 内存，但其提供的带宽“只有”4.8 TB / s，这可能是出于可靠性和功耗方面的考虑。
为了进一步提升内存带宽，HBM4 将采用 2048 位接口，理论峰值带宽可超过 1.5 TB / s。为了控制功耗，HBM4 的数据传输速率预计保持在 6 GT/s左右。不过，2048 位接口需要更复杂的布线设计，这将导致 HBM4 的成本高于 HBM3 和 HBM3E。
除了 SK 海力士，三星也在积极研发 HBM4 内存，并同样计划于 2026 年量产。
6
【良率0%？消息称三星3nm GAA工艺试产失败】
根据韩媒 DealSite+ 报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。
报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试，导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。
END
