据媒体报道，中国领先的存储企业长鑫存储(CXMT)已经开始准备必要设备，计划制造自己的HBM高带宽内存，以满足迫切的AI、HPC应用需求。
报道称，长鑫已经在向美国、日本的供应商下单采购制造、组装、测试HBM内存的必要设备。
这说明，相关开发设计工作已经完成，可以转入投产阶段。
消息人士称，早在2023年中，Applied Materials、Lam Research等美国设备供应商就获得了美国政府的许可，可以向长鑫出口HBM制造设备。
考虑到HBM内存需要先进、复杂的制造和封装技术，这似乎暗示中芯国际在这方面也已经取得了突破。
目前，长鑫已经在合肥有了一座DRAM内存工厂，正在筹钱建设第二座，会导入更先进的工艺，有可能会同时用来制造HBM。
暂时还不清楚长鑫要生产的HBM是第几代，可能是HBM3，而国际上已经有了更先进的HBM3E，SK海力士还计划在2026年抢先投产HBM4。
根据规划，HBM4将抛弃用了将近十年的1024-bit位宽，首次升级到2048-bit位宽，并有望堆叠更多层级，从而在容量、带宽上都实现一次重大飞跃。
据韩国媒体报道，韩国将把高带宽内存（HBM）技术指定为国家战略技术，并向三星电子和SK海力士等开发该技术的企业提供税收优惠。
报道称，这一决定是2023年底在国会通过的，税法修正案后的执行令草案的一部分。
最主要的变化就是，扩大了有资格享受研发税收优惠的国家战略技术范围，与一般研发活动相比，企业对指定的国家战略技术可以获得更高的税收减免。
中小企业可享受高达40%至50%的减免，而三星电子、SK海力士等中大型企业可享受高达30%至40%的减免。
HBM全称为High Bandwich Memory，即高带宽内存，是一款的CPU/GPU内存芯片；其将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。
简单来讲，传统的DDR内存芯片是一层的平房结构，HBM结构的内存就是现代化的摩天大楼，在占地面积不变的基础上，向3维高度发展，从而可实现了更高的性能和带宽。
随着AI应用的越来越广泛，HBM的相关应用也是越来越多，其需求也是水涨船高，目前HBM的平均售价至少是DRAM的三倍。
