三星电子已成立内存研发 (R&D) 机构,将专注于开发下一代 3D DRAM,以确保超差距技术竞争力。
据业内人士28日透露,三星电子在美国硅谷的半导体美洲分部(DSA)成立了尖端存储器研发机构。该组织计划积极研发3D DRAM。同时,公司将积极招募硅谷顶尖人才,与各半导体生态系统合作。目前,DRAM 具有单元密集排列在单个平面上的 2D 结构,但存储器行业正在通过增加同一区域的集成度来大力开发具有卓越性能的 3D DRAM。他们通过探索各种方法来争夺技术主导权,例如水平放置电池并向上堆叠的方法,以及将电池结构堆叠成两层的垂直方法。基于2013年全球首款3D垂直结构NAND(3D V-NAND)商业化的成功经验,三星电子的目标是主导DRAM 3D垂直结构的开发。在去年10月举行的“内存技术日”活动上,三星电子宣布计划在下一代10纳米或更低的DRAM中引入新的3D结构,而不是现有的2D平面结构。该计划旨在克服3D垂直结构缩小芯片面积的限制并提高性能,将一颗芯片的容量增加100GB以上。三星电子去年在日本举行的“VLSI研讨会”上发表了一篇包含3D DRAM研究成果的论文,并展示了作为实际半导体实现的3D DRAM的详细图像。飙叔感谢您花时间关注与分享,感谢在我的人生道路中多了这么多志同道合的朋友,一起关注国产光刻机、国产芯片、国产半导体艰难突破之路;一起分享华为海思、华为鸿蒙及华为手机等华为产业为代表的中国ICT产业崛起的点点滴滴;从此生活变得不再孤单,不再无聊!
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